本發(fā)明公開了一種金屬氧化物去除方法及裝置，該金屬氧化物去除方法包括：對(duì)放置有基底的處理腔室進(jìn)行預(yù)設(shè)次數(shù)的抽真空處理；在抽真空處理后的處理腔室中通入還原性酸蒸汽；將通入還原性酸蒸汽的處理腔室加熱至預(yù)設(shè)溫度，以使所述還原性酸蒸汽分解后形成的還原性氣體與所述基底表面的金屬氧化物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以去除所述基底表面的金屬氧化物。通過本發(fā)明，可以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的現(xiàn)有去除氧化銅的效率低、成本較高和對(duì)基底損傷較大的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及氧化物去除的技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬氧化物去除方法及裝置。

背景技術(shù)

銅工藝是指以銅作為金屬互聯(lián)材料的一系列半導(dǎo)體制造工藝。采用銅柱工藝將微發(fā)光二極管(Micro Light Emitting Diode,Micro LED)陣列封裝到驅(qū)動(dòng)基板是一種常用的方法。

銅具有低電阻率和高電子遷移阻抗等先天性的優(yōu)勢(shì)，但是也有一個(gè)明顯的缺陷很容易氧化，而且無法像鋁一樣形成自我保護(hù)氧化層，只要在含氧的環(huán)境就會(huì)持續(xù)不斷的氧化，影響后續(xù)工藝質(zhì)量和器件可靠性。

現(xiàn)有去除氧化銅的方法有：

1.高溫下(典型350℃)在爐管中通入氫氣還原氧化銅，這種方法工藝溫度較高，耐溫低的基底無法兼容，而且反應(yīng)速率慢，效率低，同時(shí)氫氣是危險(xiǎn)特殊氣體需要配備專門的管路和尾氣處理裝置，成本較高。

2.用氬氣或者其他還原性等離子體處理去除表面氧化物，這種方法對(duì)基底損傷較大，而且對(duì)于氧化層較厚的基底需要處理時(shí)間很長(zhǎng)，效率低，效果差，損傷大。

因此，如何改善現(xiàn)有去除氧化銅的效率低、成本較高和對(duì)基底損傷較大的技術(shù)問題，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供了一種金屬氧化物去除方法及裝置，用以改善現(xiàn)有技術(shù)存在的現(xiàn)有去除氧化銅的效率低、成本較高和對(duì)基底損傷較大的問題。

本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

第一方面，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬氧化物去除方法，包括：

對(duì)放置有基底的處理腔室進(jìn)行預(yù)設(shè)次數(shù)的抽真空處理；

在抽真空處理后的處理腔室中通入還原性酸蒸汽；

將通入還原性酸蒸汽的處理腔室加熱至預(yù)設(shè)溫度，以使所述還原性酸蒸汽分解后形成的還原性氣體與所述基底表面的金屬氧化物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以去除所述基底表面的金屬氧化物。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述還原性酸蒸汽為甲酸蒸汽；和/或所述還原性氣體為氫氣。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)設(shè)溫度為150℃-250℃。

在一個(gè)實(shí)施例中，所預(yù)設(shè)次數(shù)為至少兩次。

在一個(gè)實(shí)施例中，所述抽真空處理后所述處理腔室的壓強(qiáng)小于1毫巴。

第二方面，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例提供的一種金屬氧化物去除裝置，包括：

腔室，設(shè)有載板，其中具有金屬氧化物薄膜的基底放置于所述載板上；

抽真空模塊，對(duì)放置有基底的處理腔室進(jìn)行預(yù)設(shè)次數(shù)的抽真空處理；

蒸汽產(chǎn)生模塊，對(duì)抽真空處理后的處理腔室通入還原性酸蒸汽；

加熱模塊，對(duì)將通入還原性酸蒸汽的處理腔室加熱至預(yù)設(shè)溫度，以使所述還原性酸蒸汽分解后形成的還原性氣體與所述基底表面的金屬氧化物發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，以去除所述基底表面的金屬氧化物。

本發(fā)明有益效果如下：