本發(fā)明提供一種硅片的處理方法和裝置，在硅片的處理方法中，將硅片輸送盒置于盛有浸沒液且處于溢流狀態(tài)的卸載槽中，硅片輸送盒交互面與水平面呈平行狀態(tài)，硅片輸送盒中用于承載硅片的承載面與水平面垂直，在硅片完成最終拋光之后，將硅片以豎直方式裝載至硅片輸送盒中并使硅片浸沒于浸沒液中。根據(jù)本發(fā)明的硅片的處理方法，在硅片完成最終拋光之后，能夠?qū)⒐杵载Q直方式裝載至硅片輸送盒中并使硅片浸沒于浸沒液中，避免硅片完成最終拋光后裝載至硅片輸送盒時該硅片輸送盒中的硅片露出，減輕因殘留的漿料引起的蝕刻，通過硅片的處理裝置能夠?qū)崿F(xiàn)上述的硅片的處理方法，有效減少硅片的二次污染，提高清洗效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及硅片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種硅片的處理方法和裝置。

背景技術(shù)

在硅片的拋光處理過程中，一般的拋光工程的工序按照雙面拋光→清洗→邊緣拋光→清洗→最終拋光的順序進行，根據(jù)需要，也可以按照邊緣拋光→清洗→雙面拋光→清洗→最終拋光的順序進行拋光工程。另外，為強化對拋光工程內(nèi)硅片品質(zhì)的監(jiān)控，也可以追加平坦度測量工程和邊緣檢查工程。最終拋光是通過使用拋光墊、拋光漿料、模板組件以及其他化學(xué)品對完成雙面拋光和邊緣拋光的硅片進行正面的最終拋光的工程。由此，應(yīng)能夠最終決定硅片的平坦度，且使硅片表面的污染(顆粒、刮傷等)最小化。

最終拋光工藝通過最終拋光機進行，最終拋光機大體以裝載→硅片移栽→一次拋光→二次拋光→三次拋光→硅片移栽→卸載的順序構(gòu)成，如圖1所示為硅片的最終拋光過程示意圖，最終拋光機主要由裝載結(jié)構(gòu)1、拋光結(jié)構(gòu)2、機械臂3、調(diào)節(jié)器4和卸載結(jié)構(gòu)5構(gòu)成，使用過程中，通過裝載結(jié)構(gòu)1和機械臂3將硅片6置于拋光結(jié)構(gòu)2上進行拋光，拋光過程中可以通過調(diào)節(jié)器4來調(diào)節(jié)硅片6，經(jīng)過多次拋光后完成拋光，再通過卸載結(jié)構(gòu)5將硅片6卸載。為了使硅片表面的污染最小化，增強清洗硅片時的清洗力，也可以在卸載部位施加清洗劑來構(gòu)成裝備。供應(yīng)至最終拋光過程中的拋光漿料可以是兩種或三種，最終拋光墊也同樣是兩種或三種，這可以根據(jù)所生產(chǎn)的產(chǎn)品，根據(jù)規(guī)格來區(qū)別選擇。待完成拋光后，需要使用刷子或高壓的去離子水對貼附于定盤的拋光墊進行清洗，至于清洗周期，應(yīng)能夠在每一次運行或每一個硅片輸送盒的作業(yè)結(jié)束之后進行清洗，且應(yīng)能夠在裝備內(nèi)清洗程序中設(shè)定清洗周期。最后，在拋光之后移動的過程中，硅片表面必須維持濕潤狀態(tài)，為此，應(yīng)能夠?qū)⑷ルx子水或化學(xué)品噴射于硅片表面。

完成最終拋光的硅片應(yīng)在以水平方式位于卸載槽內(nèi)的硅片輸送盒待機至13pcs或25pcs的硅片完成作業(yè)的時點，此時，卸載槽應(yīng)繼續(xù)由去離子水溢流，從而使完成最終拋光的硅片表面污染最小化。此時所使用的硅片輸送盒的材質(zhì)通常使用可熔性聚四氟乙烯(PFA)、熱解氮化硼(PBN)或聚碳酸酯(PC)材質(zhì)，也可以根據(jù)最終拋光工程的工序及卸載槽的設(shè)計，變更硅片輸送盒的種類及材質(zhì)而使用。最終完成最終拋光的硅片輸送盒應(yīng)能夠通過操作員或自動導(dǎo)引運輸車(AGV)被移送至預(yù)清洗工程，而進行對硅片表面的清洗及后續(xù)工程。

目前，客戶對硅片品質(zhì)的要求越趨苛刻，尤其，在客戶對37nm以下微細顆粒的要求越趨嚴格的狀況下，當(dāng)前由于受到最終拋光裝備的卸載槽結(jié)構(gòu)受限，僅能夠通過去離子水的溢流來清洗處理拋光后的硅片，清洗能力不強，生產(chǎn)效率不高。尤其，從裝備的結(jié)構(gòu)而言，13pcs或25pcs的硅片應(yīng)全部完成最終拋光方可進行作為下一個工程的預(yù)清洗。但是，為了使25pcs硅片全部完成最終拋光，根據(jù)最終拋光的加工時間，需要最少四十分鐘至最長一個小時左右的時間。因此，就第一個完成最終拋光的硅片而言，在卸載槽內(nèi)長時間待機，因而露出后二次污染的可能性會增加。