[發明專利]SiON波導與光纖耦合結構及其制作方法在審
| 申請號： | 201910014594.4 | 申請日： | 2019-01-14 |
| 公開（公告）號： | CN109445032A | 公開（公告）日： | 2019-03-08 |
| 發明（設計）人： | 袁曉君;耿凱鴿 | 申請（專利權）人： | 科新網通科技有限公司 |
| 主分類號： | G02B6/26 | 分類號： | G02B6/26;G02B6/138;G02B6/136;G02B6/132 |
| 代理公司： | 北京細軟智谷知識產權代理有限責任公司 11471 | 代理人： | 葛鐘 |
| 地址： | 471000 河南省*** | 國省代碼： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 波導 光纖耦合結構 包覆 二氧化硅波導 波導連接 輸出波導 輸入波導 耦合結構 光傳輸 折射率 隔開 減小 漸擴 制作 能耗 匹配 光纖 | ||
1.一種SiON波導與光纖耦合結構，其特征在于，包括：
SiON波導，為輸入波導；
二氧化硅波導，包覆于所述SiON波導的外側；
錐形SiON波導，被包覆于所述二氧化硅波導內側，且處于所述SiON波導水平面的下方，且橫截面尺寸小于所述SiON波導的橫截面尺寸，橫截面尺寸沿著光傳輸的方向漸擴；
SiON輸出波導，與所述錐形SiON波導連接。
2.根據權利要求1所述的一種SiON波導與光纖耦合結構，其特征在于，所述SiON波導位于所述二氧化硅波導的對稱軸所在位置。
3.根據權利要求1所述的一種SiON波導與光纖耦合結構，其特征在于，所述錐形SiON波導位于所述二氧化硅波導的對稱軸所在位置。
4.根據權利要求1所述的一種SiON波導與光纖耦合結構，其特征在于，所述二氧化硅波導的橫截面為長方形結構，由埋氧層和二氧化硅覆蓋層共同組成，其中，埋氧層的厚度與二氧化硅覆蓋層的厚度相等。
5.根據權利要求1所述的一種SiON波導與光纖耦合結構，其特征在于，還包括襯底，所述襯底為SOI基片的部分硅襯底，該SOI基片的頂層材料為亞微米厚度的硅，埋氧層的材料為二氧化硅，背襯底的材料為純凈的硅材料。
6.一種SiON波導與光纖耦合結構的制作方法，包括以下步驟：
S1：經過RCA工藝，處理干凈SOI晶圓；
S3：用Raith150電子束曝光機，并經過顯影定影，制作出錐形結構、波導結構以及普通光刻套刻所要用到的對準標記的掩膜圖形；
S4：利用ICP刻蝕技術，將掩膜圖形轉移到SOI晶圓上，shallow2LR3刻蝕條件下，刻蝕10s～60s；
S6：用PECVD覆蓋一層SiON覆蓋層；
S7：將光刻膠旋涂在有SiON覆蓋層的SOI晶圓上；
S8：利用紫外光刻，套刻出SiON波導的的掩膜結構；
S9：ICP刻蝕出SiON波導結構；
S11：用PECVD在制作完SiON波導結構的SOI晶圓上，再覆蓋一層SiO2保護層。
7.根據權利要求6所述的制作方法，其中：步驟S1與步驟S3之間還包括步驟S2，所述步驟S2為將PMMA光刻膠旋涂在SOI晶圓上。
8.根據權利要求6所述的制作方法，其中：步驟S4與步驟S6之間還包括步驟S5，所述步驟S5為利用等離子體打膠機去掉殘膠，RCA清洗處理干凈SOI晶圓。
9.根據權利要求6所述的制作方法，其中：步驟S9與步驟S11之間還包括步驟S10，所述步驟S10為利用等離子體打膠機去掉殘膠，RCA清洗處理干凈SOI晶圓。
10.根據權利要求6所述的制作方法，其中：步驟S11之后還包括步驟S12，所述步驟S12為劃片，將反向錐形模斑變換器的輸入端面露出。
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