[發明專利]表面發射激光器器件和包括其的發光器件有效
| 申請號： | 201910011551.0 | 申請日： | 2019-01-07 |
| 公開（公告）號： | CN110021875B | 公開（公告）日： | 2022-05-13 |
| 發明（設計）人： | 姜鎬在;張正訓 | 申請（專利權）人： | 蘇州樂琻半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/183 | 分類號： | H01S5/183;H01S5/028;H01S5/34 |
| 代理公司： | 蘇州錦尚知識產權代理事務所(普通合伙) 32502 | 代理人： | 滕錦林 |
| 地址： | 215499 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 表面 發射 激光器 器件 包括 發光 | ||
1.一種表面發射激光器器件，包括：
第一反射層和第二反射層；以及
有源區，所述有源區被布置在所述第一反射層和所述第二反射層之間，
其中，所述第一反射層包括第一組第一反射層和第二組第一反射層，
其中，所述第二反射層包括第一組第二反射層和第二組第二反射層，
其中，所述第一組第二反射層包括：
第一-第一層，所述第一-第一層具有第一鋁濃度；
第一-第二層，所述第一-第二層具有高于所述第一鋁濃度的第二鋁濃度并且被布置在所述第一-第一層上；以及
第一-第四層，所述第一-第四層具有從所述第二鋁濃度變化到所述第一鋁濃度的第四鋁濃度并且被布置在所述第一-第二層上，
其中，所述第一-第二層被布置在所述第一-第一層和所述第一-第四層之間，其中，所述第一-第一層比所述第一-第二層更靠近所述有源區，
其中，所述第二反射層摻雜有第二導電摻雜劑，以及
其中，所述第一-第四層的第二導電摻雜濃度高于所述第一-第一層和/或所述第一-第二層的第二導電摻雜濃度，
其中，所述有源區包括包含第一導電摻雜層的第一腔體、包含第二導電摻雜層的第二腔體以及在所述第一腔體和所述第二腔體之間的有源層，
其中，所述第二腔體包括與所述有源層接觸的第二-第一腔體和與所述有源層隔開的第二-第二腔體，
其中，所述第二-第一腔體與所述第二-第二腔體直接接觸，以及
其中，所述第二導電摻雜層僅被布置在所述第二-第二腔體中，以及
其中，所述第一腔體包括基于AlxGaAs的層，0X1，所述第一腔體中的Al濃度被控制以在所述有源層的方向上降低。
2.根據權利要求1所述的表面發射激光器器件，還包括：
孔徑區域，所述孔徑區域被布置在所述有源區和所述第二反射層之間，
其中，所述第二導電摻雜劑包括碳(C)，以及其中所述第一-第一層比所述第一-第二層更靠近所述孔徑區域，
其中，所述第一腔體包括與所述第一反射層接觸的第一-第一腔體和與所述有源層接觸的第一-第二腔體，
其中，所述第一導電摻雜層僅被布置在與所述第一反射層接觸的所述第一-第一腔體中，以及
其中，所述第一導電摻雜層的摻雜濃度從所述有源層的方向在所述第一反射層的方向上增加。
3.根據權利要求2所述的表面發射激光器器件，其中，所述第二反射層包括第三組第二反射層，所述第三組第二反射層被布置為比所述第一組第二反射層更靠近所述孔徑區域，以及
其中，所述第三組第二反射層的平均第二導電摻雜濃度小于所述第一組第二反射層的平均第二導電摻雜濃度。
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