提供了等離子體處理設備和方法。在一個示例實施方式中，等離子體處理設備包括處理室。等離子體處理設備包括設置于處理室中的基座。基座用于支撐工件。等離子體處理設備包括在豎直方向上設置于處理室上方的等離子體室。等離子體室包括介電側壁。等離子體處理設備包括將處理室與等離子體室分開的分離格柵。等離子體處理設備包括鄰近介電側壁的第一等離子體源。第一等離子體源用于在分離格柵上方的等離子體室中產生遠程等離子體。等離子體處理設備包括第二等離子體源。第二等離子體源用于在分離格柵下方的處理室中產生直接等離子體。

優先權要求

本申請要求2017年12月27日提交的序列號為62/610,573、題目為“等離子體處理設備和方法(Plasma Processing Apparatus and Methods)”的美國臨時專利申請的優先權益，其通過引用并入本文用于所有目的。

技術領域

本公開總體涉及用于使用等離子體源處理工件的設備、系統和方法。

背景技術

等離子體處理廣泛使用在半導體工業中用于半導體晶圓和其他基底的沉積、刻蝕、抗蝕劑去除以及相關處理。等離子體源(例如，微波、ECR、電感等)通常用于等離子體處理，以產生用于處理基底的高密度等離子體和反應性物質。

等離子體剝離工具可用于剝離工藝，如光刻膠去除。等離子體剝離工具可以包括：一個或多個等離子體室，在所述等離子體室中產生等離子體；以及一個或多個獨立的處理室，在所述處理室中處理一個或多個工件。一個或多個處理室可以是一個或多個等離子體室的“下游”，使得工件不直接暴露于等離子體。分離格柵可用于使一個或多個處理室與一個或多個等離子體室分開。分離格柵可以對中性物質透明，但對來自等離子體的帶電物質不透明。一個或多個分離格柵可以包括帶有孔的材料片。

等離子刻蝕工具可以將工件直接暴露于等離子體。等離子體可以包含像離子、自由基以及受激原子和分子這樣的物質，這些物質可以用于處理工件，例如用于對工件進行反應離子刻蝕(RIE)工藝。在反應離子刻蝕工藝期間，等離子體中的離子和其他物質可以用來例如去除沉積在工件上的材料。

發明內容

本公開的實施例的各方面和優點將在下面的具體實施方式中進行部分闡述，或者可以從具體實施方式中知悉，或者可以通過實踐實施例來知悉。

本公開的一個示例方面涉及等離子體處理設備。等離子體處理設備包括處理室。等離子體處理設備包括設置于處理室中的基座。基座用于保持工件。等離子體處理設備包括在豎直方向上設置于處理室上方的等離子體室。等離子體室包括介電側壁。等離子體處理設備包括將處理室與等離子體室分開的分離格柵。等離子體處理設備包括鄰近介電側壁的第一等離子體源。第一等離子體源用于在分離格柵上方的等離子體室中產生遠程等離子體。等離子體處理設備包括第二等離子體源。第二等離子體源用于在分離格柵下方的處理室中產生直接等離子體。

本公開的其他示例方面涉及用于對工件進行等離子體處理的設備、方法、工藝和裝置。

參考以下具體實施方式和所附權利要求，各種實施例的這些和其他特征、方面和優點將變得更好理解。被并入并構成本說明書一部分的附圖示出了本公開的實施例，并與具體實施方式一起用于解釋相關原理。

附圖說明

參考附圖，在說明書中面向本領域普通技術人員闡述了實施例的詳細討論，其中：

圖1描繪了根據本公開的示例實施例的等離子體處理設備；

圖2A和圖2B描繪了根據本公開的示例實施例的等離子體處理設備中工件的示例豎直定位；

圖3A、圖3B和圖3C描繪了根據本公開的示例實施例的等離子體處理設備中工件的示例豎直定位；

圖4描繪了根據本公開的示例實施例的等離子體處理設備；