[發明專利]襯底的背側摩擦減小在審
| 申請號： | 201880077107.2 | 申請日： | 2018-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN111433886A | 公開（公告）日： | 2020-07-17 |
| 發明（設計）人： | 姜浩英 | 申請（專利權）人： | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02;G03F7/26;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡勝有;蘇虹 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 襯底 摩擦 減小 | ||
1.一種處理襯底的方法，所述方法包括：
將所述襯底容納在襯底處理室中，所述襯底具有正側表面和與所述正側表面相反的背側表面，在形成膜層之前所述襯底的背側表面具有第一摩擦系數；以及
在所述襯底的所述背側表面上形成含氟化學物質膜層，在所述襯底的背側表面上形成的所述膜層具有第二摩擦系數，所述第二摩擦系數低于所述第一摩擦系數。
2.根據權利要求1所述的方法，其中所述含氟化學物質層包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。
3.根據權利要求1所述的方法，其中形成膜層包括：
使所述背側表面暴露于含氟液體或氣體中；以及
使所述正側表面暴露于保持在比所述含氟氣體或液體更高的壓力下的氣體中。
4.根據權利要求1所述的方法，其中形成膜層包括分子氣相沉積或分子液相沉積。
5.根據權利要求1所述的方法，其中去除膜層包括以下中的一者：使所述膜層暴露于含氧氣體中；使所述膜層暴露于含氧等離子體中；或使所述膜層暴露于含氧氣體以及紫外線的組合中。
6.根據權利要求1所述的方法，還包括：
在所述背側表面上形成膜層之前，使所述背側表面暴露于化學處理，其中所述化學處理包括水、單原子氧、雙原子氧或三原子氧中的一者。
7.根據權利要求1所述的方法，還包括：
在所述襯底的背側表面上形成所述膜層之后，將所述襯底固定至襯底卡盤，其中在所述背側表面上形成所述膜層之前的所述襯底的第一測量摩擦系數大于在所述背側表面上形成所述膜層之后的所述襯底的第二測量摩擦系數。
8.根據權利要求7所述的方法，其中當在第一彎曲和第二彎曲期間所述襯底被固定至卡盤時，具有粘附至所述襯底的所述背側表面的膜層的所述襯底的第一彎曲小于不具有粘附至所述背側表面的膜層的所述襯底的第二彎曲。
9.根據權利要求7所述的方法，其中當在第一變形和第二變形期間所述襯底被固定至卡盤時，具有粘附至所述襯底的所述背側表面的膜層的所述襯底的第一變形小于不具有粘附至所述背側表面的膜層的所述襯底的第二變形。
10.根據權利要求1所述的方法，其中在光致抗蝕劑層暴露于光化輻射圖案之后發生所述光致抗蝕劑層的顯影，并且其中在所述光致抗蝕劑層暴露于所述光化輻射圖案之前在所述襯底的背側表面上形成所述膜層。
11.一種襯底，包括：
襯底，其具有正側表面和與所述正側表面相反的背側表面，其中所述襯底的裸露的背側表面具有第一摩擦系數；以及
含氟化學物質膜層，其形成在所述襯底的背側表面上，其中形成在所述襯底的背側表面上的膜層具有第二摩擦系數，并且所述第二摩擦系數低于所述第一摩擦系數。
12.根據權利要求11所述的襯底，其中當在第一測量變形和第二測量變形期間所述襯底被固定至襯底卡盤時，具有所述裸露的背側表面的所述襯底的所述第一測量變形大于具有形成在所述背側表面上的所述含氟化學物質膜層的所述襯底的所述第二測量變形。
13.根據權利要求11所述的襯底，其中所述含氟化學物質膜層包含以下中的一者：全氟癸基三氯硅烷、全氟辛基三氯硅烷、全氟七氯硅烷、全氟丁基氯硅烷、全氟辛基三乙氧基硅烷、全氟癸基三乙氧基硅烷、全氟辛基三甲氧基硅烷、全氟癸基三甲氧基硅烷、全氟癸基一氯二甲基硅烷、全氟辛基一氯二甲基硅烷、全氟丁基一氯二甲基硅烷、全氟辛基三乙氧基二甲基硅烷、全氟癸基乙氧基二甲基硅烷、全氟辛基甲氧基二甲基硅烷或全氟癸基甲氧基二甲基硅烷。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于東京毅力科創株式會社，未經東京毅力科創株式會社許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201880077107.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
