[發明專利]用于光刻應用的具有變化的表面形貌的凸節有效
| 申請號： | 201880069695.5 | 申請日： | 2018-10-04 |
| 公開（公告）號： | CN111279266B | 公開（公告）日： | 2023-04-14 |
| 發明（設計）人： | M·A·阿克巴斯;D·H·彼得森;塔莫·維特迪克;M·佩里;R·B·劉易斯;I·西格 | 申請（專利權）人： | ASML控股股份有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20;H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 張啟程 |
| 地址： | 荷蘭維*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 光刻 應用 具有 變化 表面 形貌 | ||
1.一種光刻設備，包括：
照射系統，被配置為接收輻射并且將輻射引導朝向被配置為形成圖案化輻射的圖案形成裝置；
第一支撐結構，被配置為將圖案形成裝置支撐在所述第一支撐結構上；
第二支撐結構，具有多個凸節并被配置為將襯底支撐在所述多個凸節上，其中，所述多個凸節中的每個的頂表面的形貌使得所述襯底與所述多個凸節中的每個之間的接觸面積相對于所述多個凸節中的每個的頂表面為基本平坦的頂表面形貌時的接觸面積被減小至少50％；和
投影系統，被配置成接收圖案化輻射并將圖案化輻射導向所述襯底；
其中，所述多個凸節中的一個或更多個具有頂表面形貌，所述頂表面形貌包括被凹入部分圍繞的中心凸起部分，并且所述中心凸起部分和所述凹入部分被外周凸起部分圍繞。
2.根據權利要求1所述的光刻設備，其中，所述多個凸節中的一個或更多個具有其他頂表面形貌，所述其他頂表面形貌包括被傾斜部分圍繞的中心基本平坦部分。
3.根據權利要求1所述的光刻設備，其中，所述中心凸起部分的截面尺寸在1μm和200μm之間。
4.根據權利要求2所述的光刻設備，其中，所述傾斜部分從所述中心基本平坦部分沿徑向方向以75μm至175μm之間的距離延伸。
5.根據權利要求4所述的光刻設備，其中，所述傾斜部分的高度在50nm至1000nm之間。
6.根據權利要求1所述的光刻設備，其中，所述多個凸節中的一個或更多個具有包括圓形表面的頂表面形貌。
7.一種光刻設備，包括：
照射系統，被配置為接收輻射并且將輻射引導朝向被配置為形成圖案化輻射的圖案形成裝置；
第一支撐結構，被配置為將圖案形成裝置支撐在所述第一支撐結構上；
第二支撐結構，具有多個凸節并被配置為將襯底支撐在所述多個凸節上，其中，所述多個凸節中的每個的頂表面的形貌使得所述襯底與所述多個凸節中的每個之間的接觸面積相對于所述多個凸節中的每個的頂表面為基本平坦的頂表面形貌時的接觸面積被減小至少50％；和
投影系統，被配置成接收圖案化輻射并將圖案化輻射導向所述襯底；
其中，所述多個凸節中的一個或更多個具有頂表面形貌，所述頂表面形貌包括被燒蝕部分圍繞的中間非燒蝕部分，所述燒蝕部分從所述中間非燒蝕部分沿徑向延伸；
所述燒蝕部分被外周非燒蝕部分圍繞。
8.一種襯底支撐件，被配置用于光刻設備中，所述襯底支撐件包括：
基底結構；和
在基底結構的頂表面上方延伸的多個凸節，其中，所述多個凸節中的每個的頂表面的形貌將放置在所述多個凸節上的襯底與所述多個凸節中的每個之間的接觸面積相對于所述多個凸節中的每個的頂表面為基本平坦的頂表面形貌時的接觸面積減小至少50％；
其中，所述多個凸節中的一個或更多個具有頂表面形貌，所述頂表面形貌包括被凹入部分圍繞的中心凸起部分，并且所述中心凸起部分和所述凹入部分被外周凸起部分圍繞。
9.根據權利要求8所述的襯底支撐件，其中，所述多個凸節中的一個或更多個具有其他頂表面形貌，所述其他頂表面形貌包括被傾斜部分圍繞的中心基本平坦部分。
10.根據權利要求8所述的襯底支撐件，其中，所述中心凸起部分的截面尺寸在1μm和200μm之間。
11.根據權利要求9所述的襯底支撐件，其中，所述傾斜部分從所述中心基本平坦部分沿徑向方向以75μm至175μm之間的距離延伸。
12.根據權利要求9所述的襯底支撐件，其中，所述傾斜部分的高度在50nm至1000nm之間。
13.根據權利要求8所述的襯底支撐件，其中，所述多個凸節中的一個或更多個具有包括圓形表面的頂表面形貌。
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