[發明專利]圖案形成方法、離子注入方法、層疊體、試劑盒及電子器件的制造方法有效
| 申請號： | 201880056528.7 | 申請日： | 2018-08-15 |
| 公開（公告）號： | CN111095106B | 公開（公告）日： | 2023-07-28 |
| 發明（設計）人： | 畠山直也;米久田康智;東耕平;西田陽一;藤田光宏 | 申請（專利權）人： | 富士膠片株式會社 |
| 主分類號： | G03F7/11 | 分類號： | G03F7/11;C08F230/04;G03F7/038;G03F7/039;G03F7/075;G03F7/20;G03F7/26;G03F7/40 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 蔣亭 |
| 地址： | 日本國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圖案 形成 方法 離子 注入 層疊 試劑盒 電子器件 制造 | ||
1.一種圖案形成方法，其包括：
(1)在被處理基板上形成抗蝕劑下層膜的工序；
(2)利用含有(A)樹脂的抗蝕劑組合物在所述抗蝕劑下層膜上形成抗蝕劑膜的工序，所述(A)樹脂具有Si原子；
(3)曝光所述抗蝕劑膜的工序；
(4)對經所述曝光的抗蝕劑膜進行顯影而形成抗蝕劑圖案的工序；及
(5)將所述抗蝕劑圖案作為掩模，對所述抗蝕劑下層膜進行加工來形成圖案的工序，所述圖案形成方法中，
所述(A)樹脂具有由下述式(I)表示的重復單元，
所述抗蝕劑下層膜的膜厚為2.5μm以上，所述抗蝕劑膜的膜厚為1μm以下，
上述式(I)中，L表示單鍵或2價的連接基團，X表示氫原子或有機基團，A表示含Si的基團。
2.根據權利要求1所述的圖案形成方法，其中，
所述樹脂(A)中的Si原子的含量以所述樹脂(A)的總量為基準為1質量％～30質量％。
3.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，
所述樹脂(A)具有含有酸分解性基團的重復單元。
4.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，
所述樹脂(A)具有選自由內酯結構、磺內酯結構及碳酸酯結構組成的組中的至少1種。
5.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，
所述工序(4)為通過顯影液對經所述曝光的抗蝕劑膜進行顯影來形成抗蝕劑圖案的工序，所述顯影液為堿顯影液。
6.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，
所述工序(3)中，通過KrF曝光、ArF曝光及ArF液浸曝光中的任意種對所述抗蝕劑膜進行曝光。
7.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，
所述工序(5)為將所述抗蝕劑圖案作為掩模并對所述抗蝕劑下層膜進行干式蝕刻從而形成圖案的工序。
8.根據權利要求7所述的圖案形成方法，其中，
對于所述抗蝕劑下層膜的干式蝕刻為氧等離子體蝕刻。
9.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，
所述抗蝕劑下層膜的膜厚為4μm以上。
10.根據權利要求1或2所述的圖案形成方法，其中，
所述抗蝕劑組合物為化學放大型抗蝕劑組合物。
11.一種離子注入方法，其將通過權利要求1～10中任一項所述的圖案形成方法得到的圖案作為掩模，向所述被處理基板進行離子注入。
12.一種層疊體，其用于權利要求1～10中任一項所述的圖案形成方法，
在被處理基板上依次層疊有抗蝕劑下層膜及由抗蝕劑組合物所形成的抗蝕劑膜，所述抗蝕劑組合物含有(A)具有Si原子的樹脂及(B)通過光化射線或輻射線的照射產生酸的化合物，
所述(A)樹脂具有由下述式(I)表示的重復單元，
上述式(I)中，L表示單鍵或2價的連接基團，X表示氫原子或有機基團，A表示含Si的基團。
13.一種試劑盒，其用于權利要求1～10中任一項所述的圖案形成方法，
所述試劑盒包含用于形成所述抗蝕劑下層膜的抗蝕劑下層膜形成用組合物及所述抗蝕劑組合物。
14.一種電子器件的制造方法，其包括權利要求1～10中任一項所述的圖案形成方法或權利要求11所述的離子注入方法。
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