[發明專利]部件制造用膜、部件制造用具及部件制造方法有效
| 申請號: | 201880008938.4 | 申請日: | 2018-01-26 |
| 公開(公告)號: | CN110235236B | 公開(公告)日: | 2023-06-30 |
| 發明(設計)人: | 林下英司;高橋宏和;福良和秀 | 申請(專利權)人: | 三井化學東賽璐株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;B32B15/08;B32B27/00;B32B27/36;C09J7/20;H01L21/301 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 鐘晶;金鮮英 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 部件 制造 用具 方法 | ||
本發明的目的在于提供具有能在不同工序間通用的通用性并且在加熱環境下能可靠地吸附于卡盤臺的部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法,本發明的膜(1)具有第1區域S1和包圍區域S1而配置的第2區域S2,區域S1由基層11和設置在其一面側的粘著材層12形成,區域S2由基層11和粘著材層12、以及貼附在層12上的附加層13形成,在溫度190℃以下的范圍,附加層13的拉伸彈性模量大于或等于基層11的拉伸彈性模量。本發明的方法具備部件固定工序、以區域S1與區域S2的邊界位于與卡盤臺端緣相比靠內側的方式進行載置的膜載置工序、吸附工序以及加熱工序。
技術領域
本發明涉及部件制造用膜、部件制造用具以及部件制造方法。進一步詳細而言,涉及在半導體部件制造中所利用的部件制造用膜、使用了該部件制造用膜的部件制造用具、制造半導體部件的部件制造方法、在電子部件制造中所利用的部件制造用膜、使用了該部件制造用膜的部件制造用具、以及制造電子部件的部件制造方法。
背景技術
近年來,已知將形成有電路的晶片進行單片化后,對單片化后的半導體部件進行檢查,僅拾取檢查合格的半導體部件,送往后續的工序這樣的半導體部件的制造方法。該制造方法例如在下述專利文獻1(參照權利要求1等)中被公開。
一般而言,半導體部件在1片半導體晶片上一體地形成后,進行單片化而制造,但由于存在初期不良的個體,因此通過利用專利文獻1的方法,能夠不將擔心初期不良的個體帶入到后續工序,使最終制品的成品率提高。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1:日本特開平08-330372號公報
專利文獻2:日本特開2007-005436號公報
發明內容
發明所要解決的課題
在利用上述方法時,需要進行切割(單片化)、檢查、拾取這3個工序。此時,半導體晶片、半導體部件(將半導體晶片進行了單片化的物質)等部件雖然在配置于載體(貼附片、夾具等)上的狀態下被加工,但是在各工序中對載體要求的性能是不同的。因此,以往,對于每個工序,都需要使部件轉移至根據需要的載體上,復雜且導致成本增加。
上述專利文獻1中,試圖利用伸縮性片來解決該問題。然而,專利文獻1中設想的“伸縮性”為熱伸縮性。即,試圖通過使片預先熱收縮來形成后續的延伸余地,從而消除起因于熱膨脹差的檢查用電極焊盤111與凸塊103的錯位(參照專利文獻1[圖15])。因此,專利文獻1中設想的伸縮量為接觸器的熱膨脹量程度的極小的變位量(接觸器沒有特意利用熱膨脹量大的材料)。具有這樣的熱伸縮特性的片反而缺乏伴隨力的負荷而獲得的力學伸縮性,得不到適于拾取工序的膨脹的伸長量。因此,專利文獻1中雖然記載了拾取工序(專利文獻1[圖2](c)),但實際上,如果要使用所設想的伸縮性片而進行到拾取工序,則片的力學伸縮量不足,拾取性會顯著降低。另一方面,就力學伸縮性優異的片而言,其熱膨脹量也大,因此伸縮性片的熱膨脹量相對于接觸器的熱膨脹量變得過剩,結果,無法消除檢查用電極焊盤111與凸塊103的錯位。如上所示,可以說通過調節構件之間的熱膨脹差來調整能夠在切割、檢查、拾取這3個工序中通用的載體,是極其困難的。
另一方面已知,上述工序中,在切割工序和拾取工序中,能夠利用上述專利文獻2所公開的切割膜作為載體。切割工序是將半導體晶片在貼附于切割膜的狀態下進行單片化而獲得半導體部件的工序,拾取工序是將切割膜拉伸,使單片化后的半導體部件彼此形成間隙而進行拾取的工序。因此,切割膜具有可耐受切割的機械強度和能夠以部件彼此能形成間隙的程度拉伸的柔軟性(力學伸縮性)。
另一方面,上述檢查工序中能夠包含各種單獨工序,尤其能夠包含在加溫環境下的工作確認、使用了熱應力負荷的加速評價等利用了熱附加的檢查。因此,載體除了要求在上述切割工序和拾取工序中所需要的機械強度和柔軟性以外,還要求耐熱性,但關于這一點,在專利文獻2中并未研究。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





