本實(shí)用新型提供了一種高純正硅酸乙酯的充裝系統(tǒng)，包括：第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐；所述第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐與高純正硅酸乙酯的生產(chǎn)系統(tǒng)相連通；第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐；所述第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐與高純正硅酸乙酯的生產(chǎn)系統(tǒng)相連通，且所述第二正硅酸乙酯儲(chǔ)罐與第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐不連通；抽真空裝置；所述抽真空裝置分別與第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐相連通；加壓裝置；所述加壓裝置分別與第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐相連通；鋼瓶；所述鋼瓶與第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐相連通。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型通過采用多個(gè)儲(chǔ)罐輪流進(jìn)行充裝，從而提高了充裝效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種高純正硅酸乙酯的充裝系統(tǒng)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體工藝形成氧化層的方法主要有熱氧化(針對能形成自身穩(wěn)定氧化層的半導(dǎo)體材料)、低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積(PECVD)和常壓化學(xué)氣相淀積(APCVD)等，其中由于APCVD要求的氣流量大，且工藝產(chǎn)生顆粒相對較多，目前大多數(shù)半導(dǎo)體工藝已很少使用。

正硅酸乙酯(TEOS)用于LPCVD時(shí)，TEOS從液態(tài)蒸發(fā)成氣態(tài)，在700～750℃、300mTOR壓力下分解在硅片表面淀積生成二氧化硅薄膜，二氧化硅薄膜沉積的速率可以達(dá)到50à/min，薄膜的厚度均勻性小于3％，這些優(yōu)良的工藝特性和其在使用安全性方面的顯著特點(diǎn)已逐步成為沉積二氧化硅薄膜的主流工藝。

應(yīng)用正硅酸乙酯(TEOS)LPCVD技術(shù)實(shí)現(xiàn)二氧化硅在SiC晶片表面的淀積，可在一定程度上彌補(bǔ)SiC氧化層過薄和PECVD二氧化硅層過于疏松的弊端。采用TEOS LPCVD技術(shù)與高溫氧化技術(shù)的合理運(yùn)用，既保證了氧化層介質(zhì)的致密性和與SiC晶片的粘附能力，又提高了器件的電性能和成品率，同時(shí)避免了為獲得一定厚度氧化層長時(shí)間高溫氧化的不足。采用此技術(shù)后，SiC芯片的直流成品率得到提高，微波功率器件的對比流片結(jié)果顯示微波性能也得到了明顯的提升,功率增益比原工藝提高了1.5dB左右，功率附加效率提升了近10％。

但現(xiàn)有高純正硅酸乙酯的整個(gè)制備過程中均在負(fù)壓下進(jìn)行，導(dǎo)致充裝效率較差。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題在于提供一種效率較高的高純正硅酸乙酯的充裝系統(tǒng)。

本實(shí)用新型提供了一種高純正硅酸乙酯的充裝系統(tǒng)，包括：

第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐；所述第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐與高純正硅酸乙酯的生產(chǎn)系統(tǒng)相連通；

第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐；所述第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐與高純正硅酸乙酯的生產(chǎn)系統(tǒng)相連通，且所述第二正硅酸乙酯儲(chǔ)罐與第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐不連通；

抽真空裝置；所述抽真空裝置分別與第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐相連通；

加壓裝置；所述加壓裝置分別與第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐相連通；

鋼瓶；所述鋼瓶與第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐相連通。

優(yōu)選的，還包括高壓氦氣裝置；所述高壓氦氣裝置與鋼瓶相連通。

優(yōu)選的，所述第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐通過充裝管道與鋼瓶相連通；所述高壓氦氣裝置與充裝管道相連通。

優(yōu)選的，所述第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐的底部高于鋼瓶的頂部。

優(yōu)選的，還包括放空管道；所述放空管道與鋼瓶相連通。

優(yōu)選的，還包括驅(qū)動(dòng)氮?dú)庋b置；所述鋼瓶上設(shè)置有閥門；所述鋼瓶通過閥門與第一高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐及第二高純正硅酸乙酯儲(chǔ)罐相連通；所述驅(qū)動(dòng)氮?dú)庋b置與閥門相連通。