本實用新型涉及一種帶側方加料裝置的單晶爐，其包括爐體、設于所述爐體內的導流筒、設于所述導流筒下方的石英坩堝和設于所述爐體上的側方加料裝置；所述側方加料裝置包括設于所述爐體上的加料連接口和振動輸料裝置，所述加料連接口設于所述爐體側面，所述振動輸料裝置包括水平設置的輸料管，所述輸料管的出料口穿過所述加料連接口后位于所述石英坩堝上方。

技術領域

本實用新型涉及一種帶側方加料裝置的單晶爐，具體屬于單晶硅生產技術領域。

背景技術

硅材料按照晶體結構可分為單晶硅、多晶硅和非晶硅。單晶硅材料是指硅原子在三維空間有規律周期性的不間斷排列，形成一個完整的晶體材料，材料性質體現的是各向異性，即在不同的晶體方向上各種性質都存在差異。多晶硅材料則是指由兩個以上尺寸不同的單晶硅組成的硅材料，它的材料性質體現的是各向同性。非晶硅材料是指硅原子在短距離內有序排列而在長距離內無序排列的硅材料，其材料的性質顯示各向同性。對于多晶硅來說，熔融的單質硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結合起來，結晶成多晶硅。若熔融的單質硅在凝固時，硅原子以金剛石晶格排列成許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則這些晶粒平行結合起來便結晶成單晶硅。單晶硅具有準金屬的物理性質，有較弱的導電性，其電導率隨溫度的升高而增加，有顯著的半導電性。超純的單晶硅是本征半導體。

目前制造單晶硅的方法主要有直拉法、磁場直拉法、區熔法以及雙坩堝拉晶法。單晶爐是一種在保護性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中，用加熱器將多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生長無錯位單晶的設備。單晶爐廣泛用于太陽能光伏發電的單晶硅棒制造和半導單晶硅棒的制造。太陽能光伏發電是全世界公認的清潔能源，它取之不盡，用之不竭，是人類發展所需的理想的能源，世界各國都在大力發展。但是，其發展受制于兩個瓶頸，一是受制于材料的光電轉換效率，二是太陽能光伏發電組件制造成本較高，尤其是前期制造所需要消耗的能源比較高，因此整體應用和普及速度不快。在光電轉換效率方面，雖然近幾年有了一定的提高，單位組件的成本也有下降，推動了光伏產業的發展。但由于轉換效率有極限限制，提升空間越來越窄，后續發展空間很少，從而轉換效率的因素對后續快速發展光伏發電的動能越來越小。

目前降低制造單晶硅的能耗的改進主要圍繞兩個方面進行，一是改變投料的方式，也即將停爐投料改變為不停爐投料。二是改變拉制單晶硅棒方法，也即由分步法拉制單晶硅棒改變為連續法拉制單晶硅棒。

現有技術，中國專利文獻CN108103568A，采用的是爐蓋處斜面加料方式。這種加料方式存在以下缺點：1、加料管折彎較多，容易造成硅料堆積卡料；2、硅料從加料器通過傾斜料管滑入石英堝，落料高度高，硅料速度快，對液面沖擊大，容易造成硅液飛濺及液面波動；3、落料與拉晶區域沒有隔離，落料引起的波動直接影響拉晶質量。本實用新型針對上述缺點進行了克服，提供了一種結構簡單、不卡料、落料沖擊小、拉晶區域液面平穩的帶側方加料裝置的單晶爐。

實用新型內容

本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、不卡料、落料沖擊小、拉晶區域液面平穩的帶側方加料裝置的單晶爐。

為解決上述問題，本實用新型所采取的技術方案是：

一種帶側方加料裝置的單晶爐，其包括爐體、設于所述爐體內的導流筒、設于所述導流筒下方的石英坩堝和設于所述爐體上的側方加料裝置；所述側方加料裝置包括設于所述爐體上的加料連接口和振動輸料裝置，所述加料連接口設于所述爐體側面，所述振動輸料裝置包括水平設置的輸料管，所述輸料管的出料口穿過所述加料連接口后位于所述石英坩堝上方。

作為本實用新型的進一步改進，所述石英坩堝內設有石英筒，所述石英筒下部設有連通口。

作為本實用新型的進一步改進，所述輸料管的出料口位于所述石英坩堝和石英筒之間區域的正上方位置。