[實用新型]內襯組件、反應腔室及半導體加工設備有效

申請號：	201821806205.9	申請日：	2018-11-02
公開（公告）號：	CN209133451U	公開（公告）日：	2019-07-19
發明（設計）人：	侯玨;蘭玥;佘清;張璐;劉建生	申請（專利權）人：	北京北方華創微電子裝備有限公司
主分類號：	H01J37/32	分類號：	H01J37/32
代理公司：	中科專利商標代理有限責任公司 11021	代理人：	李坤
地址：	100176 北京市大***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	內襯兩層內襯組件平面的投影半導體加工設備反應腔室周向開設接地不重疊
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【權利要求書】：

1.一種內襯組件，其特征在于，所述內襯組件包括：

套設的至少兩層內襯，所述至少兩層內襯接地，每層內襯沿其周向開設有多個縫隙，對于所述至少兩層內襯中的任意相鄰兩層內襯，其中一層內襯的所述多個縫隙在一平面的投影與其中另一層內襯的所述多個縫隙在所述平面的投影不重疊，所述平面為所述相鄰兩層內襯中其中一層內襯軸線所在的平面。

2.根據權利要求1所述的內襯組件，其特征在于，所述任意相鄰兩層內襯包括：

第一內襯，所述第一內襯的所述多個縫隙為第一縫隙；以及

第二內襯，所述第二內襯的所述多個縫隙為第二縫隙；

任一個所述第一縫隙、與所述任一個所述第一縫隙相鄰的一個所述第二縫隙、以及所述第一內襯與所述第二內襯之間、且位于所述任一個所述第一縫隙與所述相鄰的一個所述第二縫隙之間的間隙構成一個屏蔽單元。

3.根據權利要求2所述的內襯組件，其特征在于，所述屏蔽單元的深寬比為B/A+C/D，所述深寬比大于5，其中，A為所述第一縫隙在所述第一內襯周向的寬度或所述第二縫隙在所述第二內襯周向的寬度；B為所述第一內襯徑向的厚度或所述第二內襯徑向的厚度；C為相鄰兩個第一縫隙在所述第一內襯周向的距離，或者相鄰兩個第二縫隙在所述第二內襯周向的距離；D為所述第一內襯與所述第二內襯在所述第一內襯徑向或所述第二內襯徑向的間距。

4.根據權利要求2所述的內襯組件，其特征在于，相鄰兩個所述第一縫隙在所述第一內襯周向的距離以及相鄰兩個第二縫隙在所述第二內襯周向的距離均不小于2mm。

5.根據權利要求2所述的內襯組件，其特征在于，所述第一內襯徑向的厚度和所述第二內襯徑向的厚度均為5mm。

6.根據權利要求2所述的內襯組件，其特征在于，所述第一內襯與所述第二內襯之間的徑向間距小于10mm。

7.根據權利要求2所述的內襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的周向寬度以及所述第二縫隙的周向寬度范圍均為0.5mm至10mm。

8.根據權利要求2所述的內襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的數量和所述第二縫隙的數量均為數十量級。

9.根據權利要求8所述的內襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的數量和所述第二縫隙的數量均不小于60。

10.根據權利要求8所述的內襯組件，其特征在于，所述第一縫隙的數量與所述第二縫隙的數量相同。

11.根據權利要求10所述的內襯組件，其特征在于，所述第一縫隙位于與所述第一縫隙相鄰的兩個所述第二縫隙的中心位置。

12.根據權利要求2所述的內襯組件，其特征在于，所述第一縫隙沿所述第一內襯軸向延伸，和/或所述第二縫隙沿所述第二內襯軸向延伸。

13.一種反應腔室，其特征在于，所述反應腔室包括：

基座，用于承載待加工工件；

靶材，設置在所述反應腔室的上部空間中；