[實用新型]高速插座電連接器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201821575364.2 | 申請日: | 2018-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN208955334U | 公開(公告)日: | 2019-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 田立春;程牧;曾鐵武 | 申請(專利權(quán))人: | 溫州意華接插件股份有限公司 |
| 主分類號: | H01R13/6471 | 分類號: | H01R13/6471;H01R13/6473 |
| 代理公司: | 南京卓知策專利代理事務(wù)所(普通合伙) 32343 | 代理人: | 陸志強;諶丹 |
| 地址: | 325600 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 高速端子 模組 插座電連接器 接地端子 絕緣體 恒定 高速信號 絕緣本體 上下方向 特性阻抗 一體固定 絕緣 體內(nèi) 傳輸 申請 | ||
本申請實施例公開了一種高速插座電連接器,包括絕緣本體及固定在絕緣本體內(nèi)的至少一排高速端子模組,所述高速端子模組包括若干于左右方向呈排設(shè)置的端子及與所述端子一體固定的絕緣體,所述高速端子模組的一排端子包括至少一對用于傳輸高速信號的高速端子及排列于一對高速端子兩側(cè)的接地端子,于上下方向上,所述接地端子與相鄰高速端子之間的部分的厚度小于所述一對高速端子之間的部分的厚度,使得特性阻抗能夠恒定在一個合適的范圍內(nèi)。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請實施例涉及通訊傳輸領(lǐng)域,尤其涉及一種高速插座電連接器。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中的QSFP-DD(Quad Small Form-factor Pluggable Double Density)、SFP-DD(Small Form-factor Pluggable Double Density)模組設(shè)有插座連接器,所述插座連接器包括絕緣體和收容于絕緣體內(nèi)的四排端子。
在2018年05月04日,中國專利公開號第CN107994402A號專利申請揭示出一種插座連接器,所述插座連接器設(shè)置于電路板上并與對接電路板連接,所述插座連接器包括絕緣外殼、設(shè)有一排第一端子的第一端子模組、設(shè)有一排第二端子的第二端子模組、設(shè)有一排第三端子的第三端子模組及設(shè)有一排第四端子的第四端子模組,所述第一端子、第二端子、第三端子、第四端子沿豎直方向排列,所述第一端子和第四端子形成第一對接端口,所述第二端子和第三端子形成第二對接端口。所述第一端子模組、第二端子模組、第三端子模組及第四端子模組均由后向前組裝至絕緣外殼。所述第一端子、第二端子、第三端子、第四端子焊接于電路板上。
隨著SFP連接器的發(fā)展,端子傳輸速度的不斷提升,對端子之間的屏蔽性能、高頻特性、特性阻抗等要求也越來越高,此外對連接器的組裝工藝及整體穩(wěn)定性要求同樣越來越高。因此現(xiàn)有結(jié)構(gòu)在上述特性上已經(jīng)無法滿足需求。
鑒于此,需要設(shè)計一種新的高速插座電連接器以滿足發(fā)展需求。
實用新型內(nèi)容
本設(shè)計的目的在于提供一種高速插座電連接器,所述高速插座電連接器的高速端子模組的絕緣體結(jié)構(gòu)設(shè)計,使得特性阻抗能夠恒定在一個合適的范圍內(nèi)。
為實現(xiàn)上述目的,本設(shè)計提供了一種高速插座電連接器,包括絕緣本體及固定在絕緣本體內(nèi)的至少一排高速端子模組,所述高速插座電連接器形成有用于插接對接連接器的對接插槽并于前端形成插接口,所述高速端子模組包括若干于左右方向呈排設(shè)置的端子及與所述端子一體固定的絕緣體,所述各端子均包括有至少部分埋設(shè)固定至對應(yīng)絕緣體內(nèi)的固定部、與所述固定部前端相連且向前凸伸出對應(yīng)絕緣體外的彈性臂及與所述固定部后端直接或者間接相連且對應(yīng)與電路板對接的對接部,所述彈性臂前端位置形成有對應(yīng)凸伸入對接插槽內(nèi)用于與對接連接器接觸的接觸部,所述高速端子模組的一排端子包括至少一對用于傳輸高速信號的高速端子及對應(yīng)排列于所述一對高速端子兩側(cè)的接地端子,于上下方向上,所述接地端子與相鄰高速端子之間的部分的厚度小于所述一對高速端子之間的部分的厚度,以使得所述一對高速端子之間的阻抗值設(shè)定在不大于110歐且不小于90歐之間。
進一步,所述絕緣本體在上表面及下表面的至少一個表面上于接地端子與相鄰高速端子之間的部分向內(nèi)凹陷形成有用于調(diào)節(jié)特性阻抗的凹陷部,所述絕緣本體在上表面及下表面的至少一個表面上于所述一對高速端子之間的部分形成有用于調(diào)節(jié)特性阻抗的凸出部。
進一步,所述絕緣體下表面位于一對高速端子兩側(cè)的兩個接地端子之間的部分向上凹陷形成有用于調(diào)節(jié)特性阻抗的下側(cè)凹陷部,所述下側(cè)凹陷部由所述絕緣體的前端位置連續(xù)的延伸至絕緣體的后端位置,所述上側(cè)凹陷部由所述絕緣體的前端位置連續(xù)的延伸至絕緣體的后端位置。
進一步,所述凸出部由所述絕緣體的前端位置連續(xù)的延伸至絕緣體的后端位置。
進一步,所述高速端子及接地端子于上下方向上與上側(cè)凹陷部相重疊的部分的上表面露出至上側(cè)凹陷部。
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