[實用新型]一種SCR結構的低殘壓保護器件有效

申請?zhí)枺?/td>	201821455486.8	申請日：	2018-09-06
公開（公告）號：	CN208861982U	公開（公告）日：	2019-05-14
發(fā)明（設計）人：	張猛;梁令榮;黃俊	申請（專利權）人：	伯恩半導體（深圳）有限公司
主分類號：	H01L27/02	分類號：	H01L27/02
代理公司：	暫無信息	代理人：	暫無信息
地址：	518000 廣東***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	晶閘管殘壓陰極陽極短路本實用新型保護器件合并浪涌保護器件襯底材料電流泄放降低器件結構改進浪涌保護能力水平器件成本低電容浪涌通態(tài) 阻抗
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【權利要求書】：

1.一種SCR結構的低殘壓保護器件，其特征在于：包括第一晶閘管和第二晶閘管；所述第一晶閘管的陽極與第二晶閘管的陰極短路連接；所述第一晶閘管的陰極與第二晶閘管的陽極短路連接；

所述第一晶閘管的陽極P+區(qū)與第二晶閘管的陰極N+區(qū)短路合并集成，所述第一晶閘管的陰極N+區(qū)與第二晶閘管的陽極P+區(qū)短路合并集成；

所述第一晶閘管和第二晶閘管分別包括N+襯底、第一P型基區(qū)、第二P型基區(qū)、隔離區(qū)N+IOS、P+環(huán)、N+陰極短路孔；所述第一P型基區(qū)和第二P型基區(qū)分別平行設置于N+襯底的兩側；所述隔離區(qū)N+IOS分別設置于第一P型基區(qū)及第二P型基區(qū)外側的兩端；所述P+環(huán)分別設置于第一P型基區(qū)及第二P型基區(qū)與隔離區(qū)N+IOS之間；所述N+陰極短路孔均勻間隔平行設置于第一P型基區(qū)及第二P型基區(qū)的外側。

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