[實(shí)用新型]一種采用蒸鍍氧化鋅透明導(dǎo)電膜的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201821325316.8 | 申請(qǐng)日: | 2018-08-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN208753334U | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-04-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃信二 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 研創(chuàng)應(yīng)用材料(贛州)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224 | 分類(lèi)號(hào): | H01L31/0224;H01L31/074 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 氧化鋅 透明導(dǎo)電膜 蒸鍍 氧化鋅透明導(dǎo)電膜 背面 背面金屬化 本實(shí)用新型 多層膜結(jié)構(gòu) 硅基異質(zhì)結(jié) 太陽(yáng)能電池 電池 非晶硅 金屬化 薄膜透明度 從上到下 系列材料 依次連接 原料成本 整體降低 高阻抗 氧化物 產(chǎn)率 膜層 生產(chǎn)成本 | ||
本實(shí)用新型涉及一種采用蒸鍍氧化鋅透明導(dǎo)電膜的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,包括正面金屬化導(dǎo)線(xiàn)、正面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜、HJT電池非晶硅多層膜結(jié)構(gòu)層、背面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜和背面金屬化導(dǎo)線(xiàn),所述正面金屬化導(dǎo)線(xiàn)、正面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜、HJT電池非晶硅多層膜結(jié)構(gòu)層、背面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜、背面金屬化導(dǎo)線(xiàn)從上到下依次連接;所述正面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜和背面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜為RPD蒸鍍氧化鋅系列材料的透明導(dǎo)電膜。本實(shí)用新型采用氧化鋅系列的氧化物其原料成本大幅降低、材料鍍率快增加產(chǎn)率、高薄膜透明度及膜層致密度高阻抗低,整體降低HJT電池的生產(chǎn)成本,有利于市場(chǎng)的推廣及產(chǎn)品的普及。
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種薄膜技術(shù)的太陽(yáng)能電池,尤其涉及一種采用蒸鍍氧化鋅透明導(dǎo)電膜的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池。
背景技術(shù)
近幾年,由于硅片、電池片和組件的產(chǎn)能不斷擴(kuò)張,光伏發(fā)電成本也出現(xiàn)了實(shí)質(zhì)性的下降。因此,降低集成成本(BOS)在整個(gè)光伏發(fā)電系統(tǒng)成本結(jié)構(gòu)中的比例也變得更加重要,這意味著高效組件在降低系統(tǒng)成本的過(guò)程中將扮演著最重要的角色,因?yàn)樗鼈冊(cè)谔峁┫嗤娏康那闆r下可以節(jié)約更多的BOS成本。在所有的太陽(yáng)能電池技術(shù)中,研究硅基異質(zhì)結(jié)(HJT)太陽(yáng)能電池具有重要的意義,因?yàn)槠渚邆滢D(zhuǎn)換效率高(24.7%),結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制程溫度低(<250℃),工藝步驟少以及溫度系數(shù)低等優(yōu)點(diǎn)。
與傳統(tǒng)的P型單晶/多晶太陽(yáng)能電池相比,N型單晶襯底的HJT電池具有高效率、工藝簡(jiǎn)單、無(wú)照光裂化(LID free)、無(wú)電壓裂化(PID free)、低溫度系數(shù)、高發(fā)電量、低光衰、低發(fā)電成本和雙面照光發(fā)電等特性,保證了光伏組件更可靠、電站建設(shè)成本更低和更長(zhǎng)的使用壽命,非常適合分布式光伏應(yīng)用,為下世代高效率電池主流技術(shù)之一。采用雙面異質(zhì)結(jié)組件,在白色背景的反照下,可以多輸出>20%的電力。根據(jù)實(shí)地的測(cè)試,使用雙面的HJT組件比單面的HJT組件平均可多輸出28.9%的電力。
在制備HJT太陽(yáng)能電池的過(guò)程中,PECVD在決定產(chǎn)品的性能方面扮演著最重要的角色。入光面所沉積的鈍化層為本征層(i)并在上面堆疊摻硼的(p)層,背面同樣沉積本征鈍化層(i)并堆疊摻磷的(n)層,表面鈍化層i/p和i/n的厚度都約為15~25nm。然后在正反兩面濺鍍上約60-150nm的透明導(dǎo)電膜(TCO),目前大都采用傳統(tǒng)的濺鍍ITO(銦錫氧化物)作為透明導(dǎo)電膜層(TCO)或者用RPD(Reactive Plasma Deposition)技術(shù)蒸鍍IWO(銦鎢氧化物)做透明導(dǎo)電膜,然后在透明導(dǎo)電膜上可以用絲印低溫銀漿的方式、或是采用濺鍍金屬薄膜的方式或者采用電鑄銅的方式來(lái)制作正反面的導(dǎo)線(xiàn),這樣便完成一個(gè)HJT電池片的制作。
目前HJT正反兩面的透明導(dǎo)電膜的制作方式尚有成本較高的缺點(diǎn),一般在正反兩面濺鍍上約60-150nm的透明導(dǎo)電膜(TCO),目前大都采用傳統(tǒng)的濺鍍ITO(銦錫氧化物)作為透明導(dǎo)電膜層(TCO)或者用RPD(Reactive Plasma Deposition)技術(shù)蒸鍍IWO(銦鎢氧化物)做透明導(dǎo)電膜,ITO靶材成型不易良率低及IWO靶材用更多的銦原料,因此兩者都成本居高不下。
實(shí)用新型內(nèi)容
有鑒于此,提供一種采用蒸鍍氧化鋅透明導(dǎo)電膜的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,其主要特點(diǎn)是RPD蒸鍍氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜對(duì)非晶硅層損傷小、采用氧化鋅系列的氧化物其原料成本大幅降低、材料鍍率快增加產(chǎn)率、高薄膜透明度及膜層致密度高阻抗低,整體降低HJT電池的生產(chǎn)成本,有利于市場(chǎng)的推廣及產(chǎn)品的普及。
一種采用蒸鍍氧化鋅透明導(dǎo)電膜的硅基異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池,包括正面金屬化導(dǎo)線(xiàn)、正面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜、HJT電池非晶硅多層膜結(jié)構(gòu)層、背面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜和背面金屬化導(dǎo)線(xiàn);所述正面金屬化導(dǎo)線(xiàn)、正面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜、HJT電池非晶硅多層膜結(jié)構(gòu)層、背面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜、背面金屬化導(dǎo)線(xiàn)從上到下依次連接;所述正面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜和背面氧化鋅系列透明導(dǎo)電膜為RPD蒸鍍氧化鋅系列材料的透明導(dǎo)電膜。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過(guò)該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個(gè)或多個(gè)電光源,如場(chǎng)致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的
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