本實用新型提供一種IPA補給系統包括：第一儲液罐，所述第一儲液罐與機臺相連接，用于向所述機臺供應IPA溶液；第二儲液罐，所述第二儲液罐位于所述第一儲液罐的上方，所述第二儲液罐與加料裝置相連接，用于為所述第一儲液罐儲備所述IPA溶液；控制閥，位于所述第一儲液罐及所述第二儲液罐之間，并與所述第一儲液罐及第二儲液罐相連接。使得晶圓干燥制成穩定以及提高機臺產出率。

技術領域

本實用新型屬于半導體制造領域，涉及一種IPA補給系統。

背景技術

晶圓制造中，隨著制程技術的升級、器件的小型化，光刻技術對晶圓表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越來越高，現有的晶圓平坦方法包括：化學研磨、機械研磨以及化學機械研磨。單純的化學研磨，表面精度較高，損傷低，完整性好，不容易出現表面/亞表面損傷，但是研磨速率較慢，材料去除效率較低，不能修正表面型面精度，研磨一致性比較差；單純的機械研磨，研磨一致性好，表面平整度高，研磨效率高，但是容易出現表面層/亞表面層損傷，表面粗糙度值比較低。化學機械研磨(CMP，Chemical Mechanical Polish)綜合了化學研磨和機械研磨的優勢，可以在保證材料去除效率的同時，獲得較完美的表面，得到的平整度比使用單純的機械研磨或化學研磨要高出1-2個數量級，并且可以實現納米級到原子級的表面粗糙度，因此自1995年以后，CMP技術得到了快速發展，大量應用于半導體產業。

CMP亦稱為化學機械拋光，其原理是化學腐蝕作用和機械去除作用相結合的加工技術，是目前機械加工中唯一可以實現表面全局平坦化的技術。CMP過程需要IPA溶液(異丙醇)對晶圓進行干燥，如圖1所示，顯示為現有技術中的一種IPA補給系統，包括IPA儲液罐100、稱重設備200、機臺300及加料裝置400，機臺300及加料裝置400通過管道500相連接，但用于儲存IPA溶液的IPA儲液罐100只有一個，由稱重設備200來檢測IPA儲液罐100的質量，當IPA儲液罐100中的IPA溶液的質量下降到一定量時，需要對IPA儲液罐100中的IPA溶液通過加料裝置400進行補給，由于加料裝置400在向IPA儲液罐100補給IPA溶液時，IPA儲液罐100中的IPA溶液不穩定，且由于儲存IPA溶液的IPA儲液罐100只有一個，需通過IPA儲液罐100為機臺300供應IPA溶液，為了避免由于供機臺300使用的IPA溶液的不穩定，通常需將機臺300調制到待機狀態，直到IPA儲液罐100中的IPA溶液補給完成，因此造成了晶圓干燥制成不穩定以及機臺300產出率的下降。

基于以上所述，提供一種IPA補給系統以解決現有技術中在向IPA儲液罐補給IPA溶液時，由于IPA儲液罐中的IPA溶液不穩定，造成需將機臺調制到待機狀態，直到IPA儲液罐中的IPA溶液補給完成，使得晶圓干燥制成不穩定以及機臺產出率下降的問題實屬必要。

實用新型內容

鑒于以上所述現有技術的缺點，本實用新型的目的在于提供一種IPA補給系統，用于解決現有技術中在向IPA儲液罐補給IPA溶液時，由于IPA儲液罐中的IPA溶液不穩定，造成需將機臺調制到待機狀態，直到IPA儲液罐中的IPA溶液補給完成，使得晶圓干燥制成不穩定以及機臺產出率下降的問題。

為實現上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種IPA補給系統，包括：

第一儲液罐，所述第一儲液罐與機臺相連接，用于向所述機臺供應IPA溶液；

第二儲液罐，所述第二儲液罐位于所述第一儲液罐的上方，所述第二儲液罐與加料裝置相連接，用于為所述第一儲液罐儲備所述IPA溶液；

控制閥，位于所述第一儲液罐及所述第二儲液罐之間，并與所述第一儲液罐及第二儲液罐相連接。

可選的，所述控制閥包括電磁閥及氣動閥中的一種或組合。

可選的，所述第一儲液罐及第二儲液罐具有概呈相同的形貌。

可選的，所述第一儲液罐的底部通過管道與所述機臺相連接。