本實用新型提供一種反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)，包括部件本體和氧化膜層，其中，部件本體采用5系鋁合金材料制成；氧化膜層通過部件本體氧化形成。本實用新型還提供反應(yīng)腔室。本實用新型可提高反應(yīng)腔室部件的抗腐蝕性，從而可以提高反應(yīng)腔室的使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型屬于微電子加工技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種反應(yīng)腔室部 件結(jié)構(gòu)及反應(yīng)腔室。

背景技術(shù)

鋁合金具有較高的強度、良好的焊接性，陽極氧化膜具有良好的 耐腐蝕性，自從上世紀80年代開始，已被廣泛的應(yīng)用于生產(chǎn)等離子體 反應(yīng)室部件。由于鋁合金中含有大量的合金元素，如Mg、Cu、Zn、 Mn、Fe、Si等，在等離子體刻蝕過程中，反應(yīng)腔室內(nèi)使用反應(yīng)氣體包 括CF₄/O₂、NF₃、Cl₂、CH₄/Ar等，生成大量的Cl基、F基等活性自由 基，會與這些合金元素發(fā)生反應(yīng)生產(chǎn)金屬化合物顆粒，這些顆粒易造 成反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)表面的金屬污染，嚴重地影響器件的電性能；此 外反應(yīng)室內(nèi)金屬顆粒很難清洗，嚴重時甚至造成整個反應(yīng)腔室的失效。

目前，反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)通常選用諸如A6061等的6系鋁合金加 工而成，且采用硫酸硬質(zhì)陽極氧化在部件的表面形成一層氧化鋁薄膜， 以防止等離子體對反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)腐蝕。在實際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)：該反 應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)在等離子體轟擊的環(huán)境下，還是很容易造成腐蝕，即， 對腔室造成金屬污染。

實用新型內(nèi)容

本實用新型旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出 了一種反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)及反應(yīng)腔室，可提高反應(yīng)腔室部件的抗腐蝕 性，從而可以提高反應(yīng)腔室的使用壽命。

為解決上述問題之一，本實用新型提供了一種反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)， 包括部件本體和氧化膜層，其中：所述部件本體采用5系鋁合金材料 制成；所述氧化膜層通過部件本體氧化形成。

優(yōu)選地，在所述氧化膜層上形成有陶瓷層。

優(yōu)選地，所述氧化膜層表面具有預(yù)設(shè)粗糙度。

優(yōu)選地，所述預(yù)設(shè)粗糙度的范圍在3.2μm～6.3μm。

優(yōu)選地，所述氧化鋁薄膜的厚度范圍在50μm～60μm。

優(yōu)選地，所述陶瓷層包括：氧化釔或者氧化鋯。

優(yōu)選地，所述陶瓷層的厚度范圍在50μm～200μm。

本實用新型還提供一種反應(yīng)腔室，包括上述提供的反應(yīng)腔室部件 結(jié)構(gòu)。

本實用新型具有以下有益效果：

本實用新型中，克服了現(xiàn)有技術(shù)中僅考慮需要反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu) 的強度更高而采用6系鋁合金的技術(shù)偏見，采用了5系鋁合金，由于5 系鋁合金為加工硬化型Al-Mg鋁合金(例如A5052)，其中Si元素極 少，因此，不易發(fā)生晶界腐蝕，從而可以提高反應(yīng)腔室部件的抗腐蝕 性。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例提供的反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實用新型的技術(shù)方案，下面 結(jié)合附圖來對本實用新型提供的反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)及反應(yīng)腔室進行詳 細描述。

在此說明，下文中的反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)包括但不限于：反應(yīng)腔室 的內(nèi)壁、設(shè)置在內(nèi)壁上的內(nèi)襯、調(diào)整支架、靜電卡盤等等。

實施例1

圖1為本實用新型實施例提供的反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；請參閱圖1，本實用新型實施例1提供一種反應(yīng)腔室部件結(jié)構(gòu)，包括部件本體1和氧化膜層11，其中，所述部件本體1采用5系鋁合金材料制成；所述氧化膜層11通過部件本體1氧化形成。