[實用新型]一種石英排廢管的安裝結構有效
| 申請號: | 201820099218.0 | 申請日: | 2018-01-22 |
| 公開(公告)號: | CN207676935U | 公開(公告)日: | 2018-07-31 |
| 發明(設計)人: | 呂海強;鄭安;黃楊康 | 申請(專利權)人: | 浙江金樂太陽能科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18 |
| 代理公司: | 寧波慈恒專利代理事務所(特殊普通合伙) 33249 | 代理人: | 戚秋鵬 |
| 地址: | 315200 浙江省*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 左卡 卡圈 排廢管 石英 內槽 轉軸 本實用新型 安裝結構 定位柱 開口處 伸縮弧 半圓形結構 內部形狀 相對設置 轉軸連接 內槽沿 內開 焊接 開口 穿過 延伸 | ||
本實用新型公開了一種石英排廢管的安裝結構,包括左卡圈和右卡圈,所述左卡圈和右卡圈為半圓形結構,且開口處相對設置,所述左卡圈和右卡圈的一端通過轉軸連接,且右卡圈上遠離轉軸的一端焊接有伸縮弧板,所述左卡圈內開設有內槽,且內槽的一端開設有開口,且開口處穿過左卡圈內遠離轉軸的一端,并延伸至外側,所述內槽沿左卡圈的內部形狀設置,且伸縮弧板上遠離右卡圈的一端插入內槽內,所述左卡圈上靠近轉軸的一側設置有定位柱,且定位柱活動插入左卡圈內。本實用新型中,通過設置左卡圈和右卡圈,使石英排廢管在安裝的時候可以根據石英排廢管的大小安裝,本裝置適合安裝排廢管的直徑范圍更廣,更加實用。
技術領域
本實用新型涉及石英排廢管的技術領域,尤其涉及一種石英排廢管的安裝結構。
背景技術
在太陽能電池的硅片生產過程中,有一個重要的工序被稱為硅片擴散,即將硅片放入高溫爐的爐體石英管中,通入氮氣和三氯氧磷(POCl3)等氣體,讓這些氣體在高溫環境下反應和分解,在硅片表面形成具有單向導電性的空間電荷區,由于該空間電荷區是P型半導體和N型半導體的交界面,因此被稱為P-N結。
上述氣體反應和分解過程中產生的廢氣里含有劇毒的偏磷酸,因此需要將石英排廢管通過設置在爐體石英管排廢插口局部插入爐體石英管內,讓廢氣通過石英排廢管安全地排到外部廢棄處理裝置中,在傳統的石英排廢管安裝的時候,通過固定的卡件套接在石英排廢管的外側,然后再進行安裝,但是不同大小的石英排廢管需要不同大小的卡件才能進行安裝,安裝人員往往要根據不同大小的石英排廢管,查找不同大小的卡件才能進行安裝,增加了石英排廢管安裝的繁瑣性,為此,我們急需提出一種石英排廢管的安裝結構,來解決上述問題。
實用新型內容
本實用新型的目的是為了解決現有技術中存在的缺點,而提出的一種石英排廢管的安裝結構。
為了實現上述目的,本實用新型采用了如下技術方案:
一種石英排廢管的安裝結構,包括左卡圈和右卡圈,所述左卡圈和右卡圈為半圓形結構,且開口處相對設置,所述左卡圈和右卡圈的一端通過轉軸連接,且右卡圈上遠離轉軸的一端焊接有伸縮弧板,所述左卡圈內開設有內槽,且內槽的一端開設有開口,且開口處穿過左卡圈內遠離轉軸的一端,并延伸至外側,所述內槽沿左卡圈的內部形狀設置,且伸縮弧板上遠離右卡圈的一端插入內槽內,所述左卡圈上靠近轉軸的一側設置有定位柱,且定位柱活動插入左卡圈內,并延伸至內槽內,所述伸縮弧板上靠近定位柱的一側等距離開設有定位槽,且定位柱插入左卡圈內的一端活動卡接在定位槽內,所述左卡圈和右卡圈向相互靠近的一側面上連接有兩組支撐圓柱,且支撐圓柱通過安裝柱焊接在左卡圈和右卡圈相互靠近的一側面上。
優選的,所述左卡圈內靠近內槽的開口處安裝有限位齒輪,且限位齒輪的一側壁穿過內槽的內壁,并活動設置在伸縮弧板的表面。
優選的,所述伸縮弧板上靠近限位齒輪的一側設置有齒,且伸縮弧板上的齒和限位齒輪上的齒嚙合。
優選的,兩組所述支撐圓柱沿轉軸對稱設置,且支撐圓柱的表面活動卡接有卡套環,所述卡套環的外側通過連接軸固定連接有安裝內圈。
優選的,所述安裝內圈為弧形結構,且安裝內圈對稱設置。
優選的,所述定位柱為T形結構,且定位柱未延伸至左卡圈內的一端通過支撐彈簧連接在左卡圈的外壁上。
優選的,所述左卡圈上遠離右卡圈的一側焊接有安裝板,且安裝板的兩端開設有螺絲固定孔。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
1、本實用新型中,通過設置左卡圈和右卡圈,使石英排廢管在安裝的時候可以根據石英排廢管的大小安裝,本裝置適合安裝排廢管的直徑范圍更廣,更加實用。
2、本實用新型中,通過在左卡圈和右卡圈內設置兩組安裝內圈,使石英排廢管的固定更加穩定,設置可轉動的支撐圓柱和卡套環卡接,方便卡接住石英排廢管。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





