[發(fā)明專利]刻蝕液處理裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201811540513.6 | 申請(qǐng)日： | 2018-12-17 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN109659260A | 公開(kāi)（公告）日： | 2019-04-19 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 沈海洋 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/67 | 分類號(hào)： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黃威 |
| 地址： | 430079 湖北省武漢市東湖新技術(shù)*** | 國(guó)省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 刻蝕液 刻蝕 藥液槽 藥液管 基板 處理模塊 處理裝置 檢測(cè)結(jié)果 承載槽 對(duì)基板 容納 承載基板 檢測(cè)模塊 刻蝕性能 設(shè)置檢測(cè) 一端設(shè)置 傳輸 良品率 檢測(cè) 污染 | ||
1.一種刻蝕液處理裝置，其特征在于，包括：
藥液槽，用于容納刻蝕液，所述刻蝕液用于對(duì)基板進(jìn)行刻蝕；
承載槽，所述承載槽用于承載所述基板，所述承載槽用于容納刻蝕后的刻蝕液；
第一藥液管，所述第一藥液管的一端與所述藥液槽連接，所述第一藥液管的另一端設(shè)置在所述基板上，所述第一藥液管用于將所述藥液槽中的所述刻蝕液傳輸至所述基板上，使所述刻蝕液對(duì)所述基板進(jìn)行刻蝕；
第二藥液管，所述第二藥液管的一端與所述藥液槽連接，所述第二藥液管的另一端與所述承載槽連接，所述第二藥液管用于將所述刻蝕后的刻蝕液傳輸至所述藥液槽中；
檢測(cè)模塊，用于檢測(cè)所述刻蝕液或所述刻蝕后的刻蝕液是否受到污染，得到檢測(cè)結(jié)果；
處理模塊，用于根據(jù)所述檢測(cè)結(jié)果，對(duì)所述刻蝕液和/或所述刻蝕后的刻蝕液進(jìn)行處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述檢測(cè)模塊包括：
獲取子模塊，用于獲取所述刻蝕液的導(dǎo)電值；
判斷子模塊，用于判斷所述刻蝕液的導(dǎo)電值是否處于第一預(yù)設(shè)導(dǎo)電值范圍；
第一得到子模塊，用于在不處于第一預(yù)設(shè)導(dǎo)電值范圍時(shí)，得到所述刻蝕液受到污染的檢測(cè)結(jié)果；
第二得到子模塊，用于在處于第一預(yù)設(shè)導(dǎo)電值范圍時(shí)，得到所述刻蝕液未受到污染的檢查結(jié)果。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，
所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕后的刻蝕液的導(dǎo)電值；
所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕后的刻蝕液的導(dǎo)電值是否處于第二預(yù)設(shè)導(dǎo)電值范圍；
所述第一得到子模塊，還用于在不處于第二預(yù)設(shè)導(dǎo)電值范圍時(shí)，得到所述刻蝕后的刻蝕液受到污染的檢測(cè)結(jié)果；
所述第二得到子模塊，還用于在處于第二預(yù)設(shè)導(dǎo)電值范圍時(shí)，得到所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢查結(jié)果。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，
所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕液的壓差值；
所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕液的壓差值是否大于第一預(yù)設(shè)壓差值；
所述第一得到子模塊，還用于在大于第一預(yù)設(shè)壓差值時(shí)，得到所述刻蝕液受到污染的檢測(cè)結(jié)果；
所述第二得到子模塊，還用于在不大于第一預(yù)設(shè)壓差值時(shí)，得到所述刻蝕液未受到污染的檢查結(jié)果。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，
所述獲取子模塊，還用于獲取所述刻蝕后的刻蝕液的壓差值；
所述判斷子模塊，還用于判斷所述刻蝕后的刻蝕液的壓差值是否大于第二預(yù)設(shè)壓差值；
所述第一得到子模塊，還用于在大于第二預(yù)設(shè)壓差值時(shí)，得到所述刻蝕后的刻蝕液受到污染的檢測(cè)結(jié)果；
所述第二得到子模塊，還用于在不大于第二預(yù)設(shè)壓差值時(shí)，得到所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢查結(jié)果。
6.根據(jù)權(quán)利要求2-5任意一項(xiàng)所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述藥液槽上設(shè)有第一閥門(mén)；
所述處理模塊用于根據(jù)所述刻蝕液受到污染的檢測(cè)結(jié)果或所述刻蝕后的刻蝕液受到污染的檢測(cè)結(jié)果，開(kāi)啟所述第一閥門(mén)，清除所述藥液槽中的刻蝕液。
7.根據(jù)權(quán)利要求2-5任意一項(xiàng)所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述藥液槽和所述第一藥液管之間設(shè)有泵；
所述處理模塊用于根據(jù)所述刻蝕液未受到污染的檢測(cè)結(jié)果或所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢測(cè)結(jié)果，開(kāi)啟所述泵，使所述藥液槽中的所述刻蝕液，通過(guò)所述第一藥液管傳輸至所述基板上。
8.根據(jù)權(quán)利要求3或5所述的刻蝕液處理裝置，其特征在于，所述承載槽和所述第二藥液管之間具有第二閥門(mén)；
所述處理模塊，用于根據(jù)所述刻蝕后的刻蝕液未受到污染的檢測(cè)結(jié)果，將所述第二閥門(mén)打開(kāi)，使所述刻蝕后的刻蝕液經(jīng)所述第二藥液管傳入所述藥液槽。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
