[發明專利]一種雙F型納米孔陣列及其調控圓二色性的方法在審
| 申請號： | 201811490970.9 | 申請日： | 2018-12-07 |
| 公開（公告）號： | CN109298549A | 公開（公告）日： | 2019-02-01 |
| 發明（設計）人： | 劉凱;王天堃;馮曉鈺 | 申請（專利權）人： | 中山科立特光電科技有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/01 | 分類號： | G02F1/01 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 528458 廣東省中*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 圓二色性 納米孔陣列 調控 單元結構 金屬納米 矩形金屬 納米薄膜 二氧化釩 改變結構 節省資源 微納光學 相變材料 圓偏振光 中心對稱 周期陣列 納米孔 拼接 照射 申請 | ||
1.一種雙F型納米孔陣列，由多個金屬納米單元結構按矩形周期陣列拼接構成，其特征在于：所述每個金屬納米單元結構由矩形金屬納米薄膜(1)制成，其矩形金屬納米薄膜(1)的中間形成中心對稱的雙F型納米孔(2)。
2.根據權利要求1所述的雙F型納米孔陣列，其特征在于：所述雙F型納米孔(2)由第一長方形孔(21)、第二長方形孔(22)、第三長方形孔(23)、第四長方形孔(24)和第五長方形孔(25)組成；
所述第一長方形孔(21)的長邊和矩形周期的一邊平行，并設置在矩形周期的中間位置，所述第一長方形孔(21)長邊的一端設置有第二長方形孔(22)和第三長方形孔(23)，所述第二長方形孔(22)和第三長方形孔(23)的短邊與第一長方形孔(21)相連接；
所述第一長方形孔(21)另一條長邊的對角端設置有第四長方形孔(24)和第五長方形孔(25)，所述第四長方形孔(24)和第五長方形孔(25)的短邊與第一長方形孔(21)相連接；
所述第二長方形孔(22)和第三長方形孔(23)之間，第四長方形孔(24)和第五長方形孔(25)之間分別形成間隙(20)。
3.根據權利要求2所述的雙F型納米孔陣列，其特征在于：所述第一長方形孔(21)的長度為L＝460～500nm，所述第二長方形孔(22)和第三長方形孔(23)的長度為l＝150～170nm，所述第四長方形孔(24)和第五長方形孔(25)的長度為l＝150～170nm，所述間隙(20)的寬度為g＝30～70nm。
4.根據權利要求3所述的雙F型納米孔陣列，其特征在于：所述矩形金屬納米薄膜(1)由貴金屬材料制成。
5.一種基于權利要求1～4所述的雙F型納米孔陣列的調控圓二色性的方法，其特征在于：通過改變所述雙F型納米孔陣列中的結構參數，來改變結構單元的對稱性，實現對圓二色性模式大小和位置的調控。
6.根據權利要求5所述的調控圓二色性的方法，其特征在于：所述間隙(20)處填充二氧化釩材料。
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