[發(fā)明專利]一種獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)、方法、芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201811399709.8 | 申請日： | 2018-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN109525223B | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 徐以軍;彭新朝;張亮;殷惠萍;馮玉明;黃穗彪;王靜;王聰;張永光;謝育樺 | 申請（專利權(quán)）人： | 珠海格力電器股份有限公司 |
| 主分類號： | H03K3/012 | 分類號： | H03K3/012 |
| 代理公司： | 天津三元專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 12203 | 代理人： | 錢凱 |
| 地址： | 519070*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 獲取 晶體振蕩器 工作 電流 系統(tǒng) 方法 芯片 | ||
1.一種獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)，其特征在于，包括：
時間檢測模塊，用于檢測所述晶體振蕩器的死區(qū)時間；
控制電路，與所述時間檢測模塊和所述晶體振蕩器連接，用于根據(jù)所述時間檢測模塊檢測到的所述死區(qū)時間向所述晶體振蕩器提供輸入電流，其中當(dāng)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間大于或等于預(yù)設(shè)閾值時，重復(fù)調(diào)高所述晶體振蕩器的輸入電流并檢測所述晶體振蕩器的死區(qū)時間的步驟直至所述晶體振蕩器的死區(qū)時間小于所述預(yù)設(shè)閾值以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)，其特征在于：所述控制電路還用于當(dāng)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間小于預(yù)設(shè)閾值時，重復(fù)調(diào)低所述晶體振蕩器的輸入電流并檢測所述晶體振蕩器的死區(qū)時間的步驟直至所述晶體振蕩器的死區(qū)時間近似等于所述預(yù)設(shè)閾值以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)，其特征在于：所述控制電路包括數(shù)字控制電路、電流源調(diào)節(jié)模塊，所述數(shù)字控制電路與所述時間檢測模塊連接，所述電流源調(diào)節(jié)模塊分別與所述數(shù)字控制電路和所述晶體振蕩器連接，所述數(shù)字控制電路根據(jù)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間控制電流源調(diào)節(jié)模塊重復(fù)調(diào)節(jié)所述晶體振蕩器的輸入電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)，其特征在于：還包括溫度檢測模塊，所述溫度檢測模塊用于檢測所述晶體振蕩器環(huán)境溫度的變化，其中，當(dāng)所述晶體振蕩器的環(huán)境溫度變化超過預(yù)警范圍時，控制電路重新根據(jù)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間重復(fù)調(diào)節(jié)所述晶體振蕩器的輸入電流以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)，其特征在于：還包括電壓檢測模塊，所述電壓檢測模塊用于檢測所述晶體振蕩器供電電源電壓的變化，其中，當(dāng)所述晶體振蕩器的供電電源電壓變化超過預(yù)警范圍時，控制電路重新根據(jù)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間重復(fù)調(diào)節(jié)所述晶體振蕩器的輸入電流以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)，其特征在于：還包括寄存器，所述寄存器用于存儲和記憶環(huán)境溫度變化和/或供電電源電壓變化超過預(yù)警范圍時控制電路重新調(diào)節(jié)的所述晶體振蕩器的工作電流，并根據(jù)所述晶體振蕩器所處的環(huán)境溫度和/或供電電源電壓讀取對應(yīng)的工作電流以實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)調(diào)整。
7.一種芯片，其特征在于：包括權(quán)利要求1-6任意一項(xiàng)所述的獲取晶體振蕩器工作電流的系統(tǒng)。
8.一種獲取晶體振蕩器工作電流的方法，其特征在于，包括：
向所述晶體振蕩器提供初始輸入電流；
檢測所述晶體振蕩器的死區(qū)時間是否大于或等于預(yù)設(shè)閾值；
當(dāng)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間大于或等于預(yù)設(shè)閾值時，重復(fù)調(diào)高所述晶體振蕩器的輸入電流并檢測所述晶體振蕩器的死區(qū)時間的步驟直至所述晶體振蕩器的死區(qū)時間小于所述預(yù)設(shè)閾值以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的獲取晶體振蕩器工作電流的方法，其特征在于，還包括：當(dāng)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間小于預(yù)設(shè)閾值時，重復(fù)調(diào)低所述晶體振蕩器的輸入電流并檢測所述晶體振蕩器的死區(qū)時間的步驟直至所述晶體振蕩器的死區(qū)時間近似等于所述預(yù)設(shè)閾值以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的獲取晶體振蕩器工作電流的方法，其特征在于：檢測所述晶體振蕩器環(huán)境溫度的變化，其中，當(dāng)所述晶體振蕩器的環(huán)境溫度變化超過預(yù)警范圍時，重新根據(jù)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間重復(fù)調(diào)節(jié)所述晶體振蕩器的輸入電流以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或10所述的獲取晶體振蕩器工作電流的方法，其特征在于：檢測所述晶體振蕩器供電電源電壓的變化，其中，當(dāng)所述晶體振蕩器的供電電源電壓變化超過預(yù)警范圍時，重新根據(jù)所述晶體振蕩器的死區(qū)時間重復(fù)調(diào)節(jié)所述晶體振蕩器的輸入電流以得到所述晶體振蕩器的工作電流。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的獲取晶體振蕩器工作電流的方法，其特征在于：存儲和記憶環(huán)境溫度變化和/或供電電源電壓變化超過預(yù)警范圍時重新調(diào)節(jié)的所述晶體振蕩器的工作電流，并根據(jù)所述晶體振蕩器所處的環(huán)境溫度和/或供電電源電壓讀取對應(yīng)的工作電流以實(shí)現(xiàn)自適應(yīng)調(diào)整。
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