本發明涉及一種憶阻器陣列模型的處理方法和裝置，該方法包括：獲取樣本憶阻器在應用過程中的至少一組樣本數據，其中樣本數據包括電壓數據和電流數據；將樣本數據處理并存儲至憶阻器模型的仿真程序文件中，根據所述憶阻器模型搭建憶阻器陣列；為憶阻器陣列中的每一個憶阻器對應的數據添加對應的標識符；將目標憶阻器的實時電壓與通過對應的標識符確定的標準電壓進行比較，確定目標憶阻器的阻值；將目標憶阻器的阻值作為反饋信號更新憶阻器陣列模型以更新目標憶阻器的阻值，當目標憶阻器的阻值滿足設定的條件時，確定目標憶阻器陣列模型。減小了憶阻器模型和實際憶阻器特性之間的偏差，提高了對實際憶阻器的陣列誤差分析以及特性分析的準確性。

技術領域

本發明涉及憶阻器模型應用的技術領域，具體涉及一種憶阻器陣列模型的處理方法和裝置。

背景技術

憶阻器，全稱記憶電阻器，是表示磁通與電荷關系的電路器件，憶阻器具有電阻的量綱，但和電阻不同的是，憶阻的阻值是由流經它的電荷確定，因此，通過測定憶阻的阻值，便可知道流經它的電荷量，從而有記憶電荷的作用。

隨著憶阻器技術的研究和發展，部分實際憶阻器還不是特別穩定，封裝也比較困難，為了研究憶阻器的各種特性，研究人員提出了基于憶阻器的各種數學模型。

由于現有的憶阻器模型與實際的憶阻器器件的特性之間還存在一定的差距，且現有的不同材料的憶阻器的憶阻器模型之間不具有通用性，給實際憶阻器的性能分析帶來極大的技術困難。

發明內容

有鑒于此，本發明的目的在于克服現有技術的不足，提供一種憶阻器陣列模型的處理方法和裝置，減小了憶阻器模型和實際憶阻器特性之間的偏差，提高了對實際憶阻器的陣列誤差分析以及特性分析的準確性。

為實現以上目的，本發明采用如下技術方案：

第一方面，本發明實施例提供了一種憶阻器陣列模型的處理方法，該方法包括：

獲取樣本憶阻器在應用過程中的至少一組樣本數據，其中所述樣本數據包括電壓數據和電流數據；

將所述樣本數據處理并存儲至憶阻器模型的仿真程序文件中，根據所述憶阻器模型搭建憶阻器陣列；

為所述憶阻器陣列中的每一個憶阻器對應的數據添加對應的標識符；

將目標憶阻器的實時電壓與通過對應的標識符確定的標準電壓進行比較，確定所述目標憶阻器的阻值；

將所述目標憶阻器的阻值作為反饋信號更新所述憶阻器陣列模型以更新所述目標憶阻器的阻值，當所述目標憶阻器的阻值滿足設定的條件時，確定目標憶阻器陣列模型。

進一步的，所述將目標憶阻器的實時電壓與通過對應的標識符確定的標準電壓進行比較，確定所述目標憶阻器的阻值，包括：

將目標憶阻器的實時電壓與通過對應的標識符確定的標準電壓進行比較，確定所述目標憶阻器的中間電壓和與所述中間電壓對應的中間電流；

根據所述中間電壓和所述中間電流確定所述目標憶阻器的阻值。

進一步的，所述將所述目標憶阻器的阻值作為反饋信號更新所述憶阻器陣列模型以更新所述目標憶阻器的阻值，當所述目標憶阻器的阻值滿足設定的條件時，確定目標憶阻器陣列模型，包括：

將所述目標憶阻器的阻值作為反饋信號更新所述憶阻器陣列模型以更新所述目標憶阻器的阻值；

當所述目標憶阻器的中間電壓和與所述中間電壓對應的中間電流滿足設定的條件時，確定目標憶阻器陣列模型。

進一步的，所述數據包括高阻態參數數據和低組態參數數據；

相應的，所述為所述憶阻器陣列中的每一個憶阻器對應的數據添加對應的標識符，包括：