本發(fā)明提供一種低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法及太陽(yáng)能電池的制作方法，涉及低熔點(diǎn)金屬技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法包括：提供一基材和一封裝薄膜；使用低熔點(diǎn)金屬，在基材上形成低熔點(diǎn)金屬圖案；對(duì)低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行冷卻處理，使低熔點(diǎn)金屬圖案中的低熔點(diǎn)金屬固化；將封裝薄膜覆蓋于基材上形成有低熔點(diǎn)金屬圖案的一面上，向封裝薄膜和/或基材上施加壓力，完成對(duì)低熔點(diǎn)金屬圖案的封裝；使低熔點(diǎn)金屬圖案升溫至室溫，低熔點(diǎn)金屬圖案熔化，得到低熔點(diǎn)金屬器件。本發(fā)明的技術(shù)方案能夠解決在使用封裝薄膜對(duì)低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行封裝時(shí)，低熔點(diǎn)金屬溢出造成低熔點(diǎn)金屬圖案的變形或者破壞的問(wèn)題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及低熔點(diǎn)金屬技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法及太陽(yáng)能電池的制作方法。

背景技術(shù)

低熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)低于300攝氏度，其具有導(dǎo)電性好、熔點(diǎn)低、導(dǎo)熱性好等優(yōu)勢(shì)，成為了近年來(lái)發(fā)展迅速的一種新興功能材料。在應(yīng)用低熔點(diǎn)金屬的過(guò)程中，在基材上制作完成低熔點(diǎn)金屬圖案后，通常需要對(duì)低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行封裝，以對(duì)低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行有效保護(hù)，提高低熔點(diǎn)金屬器件的穩(wěn)定性。

目前，常用的封裝方法包括以下幾種：

第一種，將未固化的PDMS或硅膠材料填充到形成有低熔點(diǎn)金屬圖案的基材上，利用高溫或者自然固化，使得封裝材料凝固。這種方法需要等待較長(zhǎng)的時(shí)間，封裝厚度以及均勻度都很難得到保證。

第二種，將未固化的光固化樹(shù)脂填充到形成有低熔點(diǎn)金屬圖案的基材上，利用紫外光照射，使得光固化樹(shù)脂固化。這種方法雖然時(shí)間上大幅縮短，但是封裝厚度和均勻度依然難以保證。

第三種，使用封裝薄膜與基材貼合進(jìn)行封裝。這種方法可以很好的解決封裝厚度和均勻度的問(wèn)題，而且封裝速度很快。

但是，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，第三種封裝方法仍然存在一定問(wèn)題，例如，針對(duì)熔點(diǎn)低的低熔點(diǎn)金屬，其在室溫或者封裝過(guò)程的高溫狀態(tài)下為液態(tài)，封裝薄膜與基材的貼合需要加壓，壓力會(huì)導(dǎo)致液態(tài)的低熔點(diǎn)金屬溢出，從而導(dǎo)致低熔點(diǎn)金屬圖案的變形或者破壞。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法及太陽(yáng)能電池的制作方法，可以解決在使用封裝薄膜對(duì)低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行封裝時(shí)，低熔點(diǎn)金屬溢出造成低熔點(diǎn)金屬圖案的變形或者破壞的問(wèn)題。

第一方面，本發(fā)明提供了一種低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法，采用如下技術(shù)方案：

所述低熔點(diǎn)金屬器件的制作方法包括：

步驟S1、提供一基材和一封裝薄膜；

步驟S2、使用低熔點(diǎn)金屬，在所述基材上形成低熔點(diǎn)金屬圖案，所述低熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)低于室溫；

步驟S3、對(duì)所述低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行冷卻處理，使所述低熔點(diǎn)金屬圖案中的低熔點(diǎn)金屬固化；

步驟S4、將所述封裝薄膜覆蓋于所述基材上形成有所述低熔點(diǎn)金屬圖案的一面上，向所述封裝薄膜和/或所述基材上施加壓力，完成對(duì)所述低熔點(diǎn)金屬圖案的封裝，封裝過(guò)程的溫度低于所述低熔點(diǎn)金屬的熔點(diǎn)；

步驟S5、使所述低熔點(diǎn)金屬圖案升溫至室溫，所述低熔點(diǎn)金屬圖案熔化，得到低熔點(diǎn)金屬器件。

可選地，所述步驟S3中，所述低熔點(diǎn)金屬圖案中的低熔點(diǎn)金屬同時(shí)固化。

可選地，將形成有所述低熔點(diǎn)金屬圖案的所述基材放置于冷卻臺(tái)上，對(duì)所述低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行冷卻處理。

可選地，將形成有所述低熔點(diǎn)金屬圖案的所述基材放置于操作臺(tái)上，使板狀的冷卻裝置接觸所述低熔點(diǎn)金屬圖案，對(duì)所述低熔點(diǎn)金屬圖案進(jìn)行冷卻處理。

可選地，所述步驟S4中，所述冷卻裝置通過(guò)靜壓的方式，向所述封裝薄膜和/或所述基材上施加壓力。