[發明專利]一種新型儲能電路在審
| 申請號: | 201811112117.3 | 申請日: | 2018-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN110943499A | 公開(公告)日: | 2020-03-31 |
| 發明(設計)人: | 胡春生 | 申請(專利權)人: | 胡春生 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 518000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 新型 電路 | ||
1.一種新型儲能電路包括儲能電容(5)、二極管D1D2D3、電阻R1~R6和電容C1,其特征在于還包括單片機系統(1)、推挽驅動電路(2)、脈沖變壓器T1、輸出放大電路(3)、取樣放大電路(4)、MOS管開關Q1Q2、功率電感L1、光耦O1O2;其中單片機系統(1)輸出PWM1信號連接推挽驅動電路(2),推挽驅動電路(2)輸出依次串接電容C1和脈沖變壓器T1的初級線圈,再連接12V電源,脈沖變壓器T1次級線圈輸出的一端,通過電阻R1R2分壓后,連接MOS管Q1的G極、二極管D1的負極, MOS管Q1的D極連接DC250V電源,S極連接脈沖變壓器T1次極線圈的另一端、二極管D1的正極、D2的負極和功率電感L1;單片機系統(1)輸出PWM2信號通過電阻R3驅動光耦O1,12V電源通過光耦O1開關輸出經電阻R4限流后連接MOS管Q2的G極;DC250V電源經過MOS管Q1的D、S極,依次串接功率電感L1、二極管D3和儲能電容(5)后連接地線,MOS管Q2的D極連接功率電感L1、二極管D3的正極,S極連接地線,二極管D2反向與功率電感L1、二極管D3、儲能電容(5)三者串聯電路并聯連接;儲能電容(5)正極經過電阻R5R6分壓后連接取樣放大電路(4),取樣放大電路(4)連接光耦O2的輸入端和反饋輸出端,光耦O2的輸出經輸出放大電路(3)連接單片機系統(1)。
2.根據權利要求1所述一種新型儲能電路,其特征在于單片機系統(1)輸出PWM1信號經過推挽驅動電路(2)、脈沖變壓器T1和電阻R1R2、二極管D1組成的驅動電路控制MOS管Q1開關;保持PWM2信號為低電平,PWM1信號高電平時,MOS管Q1導通,DC250V電源經過MOS管Q1、功率電感L1、二極管D3向儲能電容(5)充電,并使功率電感L1儲能;PWM1信號由高電平轉換成低電平后,MOS管Q1截止,功率電感L1的儲能經過二極管D2D3向儲能電容(5)續流充電,儲能電容(5)充電電壓不高于250V。
3.根據權利要求1所述一種新型儲能電路,其特征在于單片機系統(1)同步輸出PWM1、PWM2脈沖控制信號,且PWM2脈寬小于PWM1脈寬,PWM1信號經過推挽驅動電路(2)、脈沖變壓器T1和電阻R1R2、二極管D1控制MOS管Q1開關;PWM2信號經過光耦O1、電阻R3R4控制MOS管Q2開關;PWM1、PWM2信號同時為高電平時,MOS管Q1、Q2同時導通,DC250V電源電流經過MOS管Q1、功率電感L1和MOS管Q2到地線導通,使功率電感L1儲能;PWM1信號保持高電平、PWM2信號由高電平變為低電平后,MOS管Q1導通、Q2截止,DC250V電源電流經過MOS管Q1、功率電感L1、二極管D3向儲能電容(5)充電;同時,功率電感L1儲能經過二極管D2D3釋放,產生續流充電電流;電流電壓的疊加可以產生高于250V電壓的充電電流,使儲能電容(5)儲能電壓大于250V,最大不超過500V。
4.根據權利要求1所述一種新型儲能電路,其特征在于脈沖變壓器T1選擇初級線圈和次級線圈匝數相等的高頻變壓器,具有信號隔離作用,將高電壓電源電路與低電壓電源電路隔離。
5.根據權利要求1所述一種新型儲能電路,其特征在于光耦O2選用具有反饋輸出的線性光耦,使連接光耦O2的輸出放大電路(3)的輸出信號和取樣放大電路(4)的輸入信號成線性關系;光耦O1選用普通隔離開關光耦;光耦O1O2具有隔離作用,將高電壓電源電路與低電壓電源電路隔離。
6.根據權利要求1所述一種新型儲能電路,其特征在于通過由光耦O2和相連接的輸出放大電路(3)、取樣放大電路(4)、電阻R5R6組成的儲能電容(5)儲能電壓監測電路,單片機系統(1)可以實時監測儲能電容(5)的儲能電壓;單片機系統(1)將儲能電容(5)的儲能電壓設定值和實測值比較后,調節PWM1、PWM2信號輸出,以權利要求2和3所述方式對儲能電容(5)充電,儲能電容(5)儲能電壓可以充電至不同的設定值,并保持穩定,最高不超過500V。
7.一種新型永磁式中高壓斷路器,其特征在于使用權利要求1至權利要求6所述的新型儲能電路。
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