[發明專利]一種穩定性增強的高輸出功率射頻功率放大器在審

申請號：	201811077908.7	申請日：	2018-09-16
公開（公告）號：	CN109412538A	公開（公告）日：	2019-03-01
發明（設計）人：	馬建國;張蕾;傅海鵬	申請（專利權）人：	天津大學
主分類號：	H03F1/56	分類號：	H03F1/56;H03F3/21;H03F3/45
代理公司：	天津市北洋有限責任專利代理事務所 12201	代理人：	吳學穎
地址：	300072***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	射頻功率放大器交叉耦合電容高輸出功率穩定性增強支路漏極源極共源結構共柵結構輸出功率穩定措施保證
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【權利要求書】：

1.一種穩定性增強的高輸出功率射頻功率放大器，包括一號CMOS晶體管(M1)、二號CMOS晶體管(M2)、三號CMOS晶體管(M3)、四號CMOS晶體管(M4)，一號CMOS晶體管(M1)和三號CMOS晶體管(M3)處于同一支路，二號CMOS晶體管(M2)和四號CMOS晶體管(M4)處于同一支路，所述一號CMOS晶體管(M1)柵極分別連接有一號輸入隔直電容(C1)和一號電阻(R_G1)，所述二號CMOS晶體管(M2)柵極分別連接有二號輸入隔直電容(C2)和二號電阻(R_G2)，一號CMOS晶體管(M1)和二號CMOS晶體管(M2)均為共源結構，一號CMOS晶體管(M1)漏極連接三號CMOS晶體管(M3)源極，二號CMOS晶體管(M2)漏極連接四號CMOS晶體管(M4)源極，三號CMOS晶體管(M3)漏極分別連接有一號輸出隔直電容(C3)和一號電感(L1)，四號CMOS晶體管(M4)漏極分別連接有二號輸出隔直電容(C4)和二號電感(L2)，三號CMOS晶體管(M3)和四號CMOS晶體管(M4)均為共柵結構，其特征在于，

所述三號CMOS晶體管(M3)源極和四號CMOS晶體管(M4)漏極之間連接有一號交叉耦合電容(C_S1)，所述三號CMOS晶體管(M3)漏極和四號CMOS晶體管(M4)源極之間連接有二號交叉耦合電容(C_S2)。

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