本公開提出一種拋光墊，具有拋光表面，拋光表面上設有研磨槽。其中，研磨槽的槽深在由拋光墊中心位置至拋光墊邊緣位置的方向上漸增。本公開提出的拋光墊在拋光過程中，當拋光墊的轉速一定的情況下，根據經典力學原理可知上述研磨槽槽深漸增的設計能夠加快研磨液的流速。

技術領域

本公開涉及化學機械研磨拋光設備技術領域，尤其涉及一種拋光墊。

背景技術

拋光墊(pad)作為化學機械研磨工藝(Chemical Mechanical Polishing，CMP)中對晶片進行研磨拋光的重要耗材，存在極高的消耗率。每張拋光墊都直接影響CMP工藝的品質、研磨率、均勻度、缺陷形成等。

拋光墊的設計制造以溝槽紋路(groove)為其關鍵。溝槽紋路的作用主要包括承載研磨液(slurry)、傳輸研磨副產品(byproduct)和研磨碎片(debris)以及作為散發熱量的通道。現有拋光墊的溝槽紋路設計主要包括網格狀(X-Y)、圓環狀(Circular)、輻射狀(Radial)、螺旋狀(Spiral)等，進一步包括上述設計的組合，例如網格狀與圓環狀的組合(X-Y+Circular)、圓環狀與輻射狀的組合(Circular+Radial)。