[發明專利]雙材料自由阻尼層結構多尺度設計方法有效
| 申請號: | 201811030793.6 | 申請日: | 2018-09-05 |
| 公開(公告)號: | CN109271693B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 丁曉紅;張橫 | 申請(專利權)人: | 上海理工大學 |
| 主分類號: | G16C60/00 | 分類號: | G16C60/00;G06F30/23 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 柏子雵 |
| 地址: | 200093 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 材料 自由 阻尼 結構 尺度 設計 方法 | ||
1.一種雙材料自由阻尼層結構多尺度設計方法,其特征在于,在雙材料自由阻尼層結構中,宏觀尺度上,阻尼層由周期性材料組成;微觀尺度上,周期性材料的單胞由兩相阻尼材料構成,一相用于保證結構剛度的高剛度相材料,一相用于提高結構阻尼的高阻尼相材料,通過兩相性能相反材料的競爭機制實現結構剛度和阻尼性能的最優設計,其設計過程包括以下步驟:
步驟1、建立表面涂覆阻尼層結構的金屬薄板結構多尺度優化設計的有限元模型,其中,阻尼層結構由兩相材料組成,其中一相材料為高剛度低阻尼材料,另一相材料為低剛度高阻尼材料;
步驟2、對有限元模型進行微觀尺度上有限元分析:
使用均勻化方法計算微結構單胞的等效復彈性矩陣DH:
式中,|V|是微結構單胞的體積,Vi是微結構單胞上第i個單元的體積,b是微結構單胞的單元應變矩陣,p是懲罰因子,D1和D2分別為低阻尼高剛度材料和低剛度高阻尼材料的彈性矩陣,ui為單胞的單元位移矩陣,I為單位矩陣,xi為微觀結構設計變量,m為微觀結構設計變量xi的總數目;
步驟3、對有限元模型進行宏觀尺度上有限元分析:
使用等效復彈性矩陣DH計算宏觀單元的剛度矩陣,并組裝得到全局剛度矩陣Kv,隨后組裝質量矩陣,對結構進行模態分析,并用模態應變能法計算結構的模態損耗因子,其中:
式中,為宏觀結構的第j個單元的剛度矩陣,Ω為宏觀結構的設計域,B為對應的單元應變矩陣,yj為宏觀結構設計變量,n為宏觀結構設計變量yj的總數目;
步驟4、靈敏度分析:
分別對微觀結構設計變量xi及宏觀結構設計變量yj進行靈敏度分析;
步驟5、更新設計變量:
采用移動漸近線算法更新微觀結構設計變量xi及宏觀結構設計變量yj;
步驟6、所述多尺度設計方法的數學模型為:
find:xi,yj(i=1,2,...,m;j=1,2,...,n) (a1)
0<xmin≤xi≤1,i=1,2,...,m (a9)
0<ymin≤yj≤1,j=1,2,...,n (a10)
式(a1)為尋求最優設計變量,其中xi和yj分別為微觀和宏觀設計變量,m為微觀結構設計變量xi的總數目,n為宏觀結構設計變量yj的總數目;式(a2)為目標函數,即對結構第kl至ku階模態損耗因子之和進行優化,當kl=ku時僅對第k階模態損耗因子進行優化,式中ηk為結構的第k階模態損耗因子,kl、ku分別為待優化階數的下限和上限;式(a3)為宏觀的體積約束,式(a4)為微觀的體積約束,vMA是阻尼材料在宏觀上的體積,vMI為低剛度高阻尼相材料在微觀單胞上的體積,fMA為宏觀上的體積分數,fMI為微觀上的體積分數,是低剛度高阻尼材料在微結構單胞上的體積上限,是阻尼材料在宏觀上的體積上限;式(a5)和式(a6)為微結構單胞彈性矩陣的實部的各向同性約束,式(a7)和式(a8)為微結構單胞彈性矩陣的虛部的各向同性約束,和是微結構單胞的等效復彈性矩陣DH對應位置的項,ε是收斂容差;式(a9)為微觀結構設計變量xi的上下限,式(a10)為宏觀結構設計變量yj的上下限,xmin和ymin分別為避免數值計算奇異問題設置的正數;
使用更新后的設計變量運用模態應變能法計算結構的模態損耗因子,并計算約束條件,若滿足設計要求,停止迭代輸出計算結果,反之,重復步驟2至步驟5直至滿足設計要求,從而得到性能最優的阻尼層結構。
2.如權利要求1所述的一種雙材料自由阻尼層結構多尺度設計方法,其特征在于,建立有限元模型時,將金屬薄板結構及阻尼層結構分別進行有限元離散,離散為板單元,兩者單元之間通過共節點連接。
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