[發明專利]硅島結構及其制作方法在審
| 申請號： | 201810968228.8 | 申請日： | 2018-08-23 |
| 公開（公告）號： | CN110858561A | 公開（公告）日： | 2020-03-03 |
| 發明（設計）人： | 蒲甜松;李慶民;陳信全 | 申請（專利權）人： | 合肥晶合集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/762 | 分類號： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 鄭星 |
| 地址： | 230012 安徽省合*** | 國省代碼： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 結構 及其 制作方法 | ||
1.一種硅島結構的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供一硅襯底，并在所述硅襯底內形成多個第一溝槽；
形成絕緣材料，所述絕緣材料至少填充在部分所述第一溝槽的底部，以在相應的所述第一溝槽內形成第二溝槽；
形成保護層，所述保護層覆蓋所述硅襯底以及所述第二溝槽的側壁及底部；
刻蝕去除所述第二溝槽底部的所述保護層以及所述第二溝槽下方的所述絕緣材料，以露出所述第一溝槽；
氧化被所述第一溝槽側壁暴露出的所述硅襯底，至相鄰所述第一溝槽未被所述保護層覆蓋的側壁之間的所述硅襯底全部氧化，以形成氧化層；
去除所述第二溝槽側壁的所述保護層；以及，
填充隔離材料在所述第二凹槽內形成隔離結構，在相鄰的所述隔離結構之間的所述硅襯底構成硅島。
2.如權利要求1所述的硅島結構的制作方法，其特征在于，在形成所述第一溝槽之前，還包括：在所述硅襯底上依次形成墊氧化層與阻擋層。
3.如權利要求2所述的硅島結構的制作方法，其特征在于，形成所述第一溝槽的步驟包括：
形成圖形化的光刻膠層在所述阻擋層上；以及，
以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，依次刻蝕所述阻擋層、所述墊氧化層以及部分厚度的所述硅襯底，以形成所述第一溝槽。
4.如權利要求3所述的硅島結構的制作方法，其特征在于，在所述第一溝槽內形成第二溝槽的步驟包括：
形成絕緣材料在所述硅襯底上，所述絕緣材料覆蓋所述阻擋層并至少填滿部分所述第一溝槽；
平坦化所述絕緣材料，至暴露出所述阻擋層；以及，
刻蝕至少部分第一溝槽內所述絕緣材料，至剩余部分厚度的所述絕緣材料，以至少在部分所述第一溝槽內形成第二溝槽。
5.如權利要求4所述的硅島結構的制作方法，其特征在于，所述墊氧化層、絕緣材料以及隔離材料的材質包含氧化硅，所述阻擋層以及保護層的材質包含氮化硅。
6.如權利要求1所述的硅島結構的制作方法，其特征在于，采用干法刻蝕去除所述第二溝槽底部的所述保護層，采用濕法浸泡去除所述第一溝槽內的所述絕緣材料。
7.如權利要求1所述的硅島結構的制作方法，其特征在于，采用濕法氧化工藝氧化所述第一溝槽側壁暴露出的所述硅襯底。
8.如權利要求1所述的硅島結構的制作方法，其特征在于，填充隔離材料在所述第二凹槽內形成隔離結構的步驟包括：
形成隔離材料，所述隔離材料覆蓋所述保護層并填滿所述第二溝槽；
平坦化所述隔離材料，至暴露出所述保護層；以及，
去除所述硅襯底上的所述保護層。
9.一種硅島結構，其特征在于，采用如權利要求1～8任一項所述的硅島結構的制作方法制作而成，所述硅島結構包括：
硅襯底；
多個隔離結構，位于所述硅襯底內，相鄰所述隔離結構之間的所述硅襯底構成硅島；以及
氧化層，至少位于部分所述隔離結構與所述硅島下方的所述硅襯底內，且所述氧化層與所述隔離結構相接觸。
10.如權利要求9所述的硅島結構，其特征在于，還包括：位于所述硅襯底上的墊氧化層，所述隔離結構貫穿所述墊氧化層。
11.如權利要求10所述的硅島結構，其特征在于，所述隔離結構的上表面高于所述墊氧化層的上表面。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
