[發明專利]一種硅片的清洗方法及硅片在審
| 申請號： | 201810907047.4 | 申請日： | 2018-08-10 |
| 公開（公告）號： | CN110828290A | 公開（公告）日： | 2020-02-21 |
| 發明（設計）人： | 謝俊華 | 申請（專利權）人： | 東莞新科技術研究開發有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/02 | 分類號： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 廣州三環專利商標代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝傳鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 硅片 清洗 方法 | ||
1.一種硅片的清洗方法，其特征在于，包括：
制備酸性清洗劑；
將所述硅片放入所述酸性清洗劑中浸泡；
從所述酸性清洗劑中取出所述硅片，將所述硅片放入去離子水中進行清洗。
2.如權利要求1所述的硅片的清洗方法，其特征在于，所述制備酸性清洗劑具體為：
將硫酸溶液、氫氟酸溶液和水進行混合，制備酸性清洗劑。
3.如權利要求2所述的硅片的清洗方法，其特征在于，所述硫酸溶液的質量百分濃度為25％-35％，所述氫氟酸溶液的質量百分濃度為20％-30％，所述硫酸溶液、所述氫氟酸溶液和所述水的質量比為1:1:4-1:1:6。
4.如權利要求1所述的硅片的清洗方法，其特征在于，所述將所述硅片放入所述酸性清洗劑中浸泡具體為：
將所述硅片放入所述酸性清洗劑中浸泡30min-40min；其中，所述酸性清洗劑的溫度為45℃-50℃。
5.如權利要求1所述的硅片的清洗方法，其特征在于，所述從所述酸性清洗劑中取出所述硅片，將所述硅片放入去離子水中進行清洗具體為：
從所述酸性清洗劑中取出所述硅片，將所述硅片放入去離子水中進行超聲波清洗25min-35min；其中，超聲波的頻率為15kHz-25kHz，所述去離子水的溫度為40℃-60℃。
6.如權利要求1所述的硅片的清洗方法，其特征在于，所述硅片的清洗方法還包括：
從所述去離子水中取出所述硅片，吹干所述硅片。
7.如權利要求6所述的硅片的清洗方法，其特征在于，所述從所述去離子水中取出所述硅片，吹干所述硅片具體為：
從所述去離子水中取出所述硅片，用溫度為45℃-55℃的風吹干所述硅片。
8.一種硅片，其特征在于，所述硅片經由權利要求1-7任一項所述的硅片的清洗方法進行清洗。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
