[發明專利]基于小像元尺寸探測器的虛擬大滿阱TDI CMOS成像系統在審
| 申請號： | 201810653030.0 | 申請日： | 2018-06-22 |
| 公開（公告）號： | CN108965752A | 公開（公告）日： | 2018-12-07 |
| 發明（設計）人： | 余達;劉金國;徐東;李廣澤;趙瑩;王冶;呂世良 | 申請（專利權）人： | 中國科學院長春光學精密機械與物理研究所 |
| 主分類號： | H04N5/374 | 分類號： | H04N5/374;H04N5/3745 |
| 代理公司： | 長春眾邦菁華知識產權代理有限公司 22214 | 代理人： | 朱紅玲 |
| 地址： | 130033 吉*** | 國省代碼： | 吉林;22 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多譜段 尺寸探測器 阱電荷 虛擬 成像控制器 外部存儲器 模擬電荷 數字域 疊加 成像系統 工作時序 積分方向 積分過程 控制方式 曝光成像 數據緩存 圖像數據 信噪比 探測器 分區 輸出 | ||
1.基于小像元尺寸探測器的虛擬大滿阱TDI CMOS成像系統，包括多譜段TDI CMOS探測器、成像控制器和外部存儲器；其特征是，所述成像控制器產生多譜段TDI CMOS探測器的工作時序，進行TDI工作模式的控制，同時接收多譜段TDI CMOS探測器輸出的經過了模擬電荷域TDI疊加的多譜段圖像數據，采用乒乓結構的外部存儲器進行數字域TDI工作模式疊加；
設定p譜段分布在多譜段TDI CMOS探測器邊緣，該譜段包括n個區域，每個區域最大實現m級模擬電荷域TDI工作模式，且每個區域能獨立輸出電荷并進行量化輸出；m、n均為大于1的正整數；
設定b譜段像元尺寸為p譜段像元尺寸的k倍，每個譜段僅存在一個感光區域；所述k為大于1的正整數；
設定地面景物經過TDI CMOS探測器時，p譜段獲得的所述探測器內累加的電荷up用下式表示為：
式中A為探測器的像元面積，texp為探測器的在軌的行周期，ηλ為在探測器中心波長為λ的譜段內的積分量子效率，EO(λ)為探測器像面的典型照度，h為普朗克常量，c為光速。
2.根據權利要求1所述的基于小像元尺寸探測器的虛擬大滿阱TDI CMOS成像系統，其特征在于；
在積分模式上，當多譜段TDI CMOS探測器內p譜段累加的電荷時，um為探測器p譜段的單個像素的滿阱電子數，采用模擬電荷域的TDI積分；
當多譜段TDI CMOS探測器內p譜段累加的電荷時，采用數字域的TDI積分。
3.根據權利要求1所述的基于小像元尺寸探測器的虛擬大滿阱TDI CMOS成像系統，其特征在于；不同TDI級數下的數據緩存方式分別為：
當需要的TDI級數在m級之內：
針對雙向TDI工作模式，根據TDI的積分方向，設定從頂端的端口out1輸出數據或從底端的端口outn輸出數據；不進行數據緩存；
當需要的TDI級數在大于m小于2m級之內：
針對雙向TDI工作方式，根據TDI的積分方向，設定從頂端的端口out1和out2輸出數據，或從底端的端口outn-1和outn輸出數據；需要進行數據緩存，采用單個乒乓結構的外部存儲器，即兩個容量分別為m行t列且深度為Ι的緩沖器，深度Ι與探測器輸出數字圖像數據的量化位數相同；
當需要的TDI級數大于(n-1)m小于nm級之內：
針對雙向TDI工作方式，根據TDI的積分方向，從頂端端口開始的out1～outn輸出數據，或從底端端口開始的outn～out1輸出數據；需要進行數據緩存，采用n-1個乒乓結構的緩沖器；即2(n-1)個容量為m行t列且深度為Ι的緩沖器。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，未經中國科學院長春光學精密機械與物理研究所許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.17sss.com.cn/pat/books/201810653030.0/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
