[發(fā)明專(zhuān)利]基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器及制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810575094.3 | 申請(qǐng)日： | 2018-06-06 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN108663740B | 公開(kāi)（公告）日： | 2020-05-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鄭國(guó)興;陳奎先;崔圓;鄧聯(lián)貴;鄧娟;戴琦;付嬈;李子樂(lè);劉勇;毛慶洲 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人： | 武漢大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào)： | G02B5/30 | 分類(lèi)號(hào)： | G02B5/30;G02B27/00 |
| 代理公司： | 武漢科皓知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 42222 | 代理人： | 張火春 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 基于 電介質(zhì) 納米 材料 偏振光 起偏器 制備 方法 | ||
1.基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：
包括一基底和三透射式納米磚陣列；
基底的一側(cè)面設(shè)有第一透射式納米磚陣列，與該一側(cè)面相對(duì)的另一側(cè)面設(shè)有第二透射式納米磚陣列和第三透射式納米磚陣列，第一透射式納米磚陣列和第三透射式納米磚陣列相對(duì)設(shè)置；
所述第一透射式納米磚陣列和所述第二透射式納米磚陣列均由若干納米磚陣列單元在基底上按陣列形式排列構(gòu)成；其中，納米磚陣列單元又由基底上等間距排列成一行的方位角為零、但尺寸不一的若干電介質(zhì)納米磚構(gòu)成；
所述第三透射式納米磚陣列由若干方位角為45°且尺寸一致的電介質(zhì)納米磚按陣列形式排列構(gòu)成；
第一透射式納米磚陣列、第二透射式納米磚陣列、第三透射式納米磚陣列中，所有相鄰的電介質(zhì)納米磚在行方向和列方向上的間距均相等，且在行方向上的間距等于在列方向上的間距；
所述電介質(zhì)納米磚均為亞波長(zhǎng)尺寸，該電介質(zhì)納米磚為第一透射式納米磚陣列、第二透射式納米磚陣列、第三透射式納米磚陣列中的所有的電介質(zhì)納米磚；
所述方位角指電介質(zhì)納米磚長(zhǎng)軸方向與X軸方向的夾角，X軸方向指基底的長(zhǎng)軸方向。
2.如權(quán)利要求1所述的基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：
所述基底為二氧化硅基底。
3.如權(quán)利要求1所述的基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：
所述電介質(zhì)納米磚為硅納米磚。
4.如權(quán)利要求1所述的基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：
所述納米磚陣列單元中電介質(zhì)納米磚的數(shù)量為2～6。
5.如權(quán)利要求1所述的基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：
第一透射式納米磚陣列和第二透射式納米磚陣列中，納米磚陣列單元在行方向的數(shù)量與周期長(zhǎng)度Px的乘積不小于入射光斑在行方向上的尺寸；同時(shí)，納米磚陣列單元在列方向的數(shù)量與周期長(zhǎng)度Py的乘積不小于入射光斑在列方向上的尺寸；
所述周期長(zhǎng)度Px和Py分別指：行和列方向上，相鄰的兩納米磚陣列單元中第一個(gè)電介質(zhì)納米磚的距離。
6.如權(quán)利要求1所述的基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：
第三透射式納米磚陣列中，行方向的電介質(zhì)納米磚數(shù)量與像元大小的乘積不小于入射光斑在行方向上的尺寸；列方向的電介質(zhì)納米磚數(shù)量與像元的乘積大小不小于入射光斑在列方向上的尺寸；
所述像元大小為透射式納米磚陣列中相鄰的電介質(zhì)納米磚在行方向或列方向的間距。
7.如權(quán)利要求1所述的基于電介質(zhì)納米磚超材料的線偏振光起偏器，其特征是：
所述第一透射式納米磚陣列、所述第二透射式納米磚陣列、所述第三透射式納米磚陣列的尺寸相同。
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