[發明專利]低鎘含量的量子點膜及其制備方法和應用在審
| 申請號： | 201810408056.9 | 申請日： | 2018-05-02 |
| 公開（公告）號： | CN108666404A | 公開（公告）日： | 2018-10-16 |
| 發明（設計）人： | 向愛雙;鄧正濤;王石 | 申請（專利權）人： | 向愛雙;鄧正濤 |
| 主分類號： | H01L33/50 | 分類號： | H01L33/50;H01L33/58 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 210023 江蘇省南京市棲霞*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 量子點層 量子點 低鎘 制備方法和應用 分隔層 無鎘 制備 | ||
1.一種低鎘含量的量子點膜，其包含：一層無鎘綠色量子點層，一層鎘系紅色量子點層，其中，所述綠色量子點層和所述紅色量子點層中的量子點各自分散在包含聚合物材料的介質中，以及所述綠色量子點層和所述紅色量子點層之間可設分隔層，和在所述綠色量子點層和所述紅色量子點層外側分別有阻隔膜層。
2.如權利要求1所述的量子點膜，其中，所述無鎘綠色量子點層的量子點為鈣鈦礦量子點、磷化銦量子點的一種或混合，在藍色主光源下可發出單一或多峰位的次級光綠光，其峰位范圍為510nm到550nm。
3.如權利要求1所述的量子點膜，其中，所述鎘系紅色量子點層含有單一發光峰位的核殼結構的鎘系發光納米晶體，其峰位范圍為610nm到670nm。
4.如權利要求1所述的量子點膜，其中，所述無鎘綠色量子點層包含10質量份的所述介質和0.01至2質量份，優選0.03至1.5質量份，更優選0.03至1.0質量份的綠色量子點材料，和所述綠色量子點層的厚度范圍為5到100微米，優選10到50微米。
5.如權利要求1所述的量子點膜，其中，所述鎘系紅色量子點層包含10質量份的所述介質和0.001至0.2質量份，優選0.005至0.15質量份，更優選0.01至0.1質量份的紅色量子點材料，和所述紅色量子點層的厚度范圍為5到100微米，優選10到50微米。
6.如權利要求1所述的分散量子點的介質，其中可包含光擴散粒子，該光擴散粒子選自二氧化硅微球、二氧化鈦微球、改性有機硅微球、高分子微球和它們的組合；所述光擴散粒子粒徑范圍為0.5到20微米，相對于10質量份的所述聚合物材料，所述光擴散粒子的添加量為0.01到2質量份。
7.如權利要求1所述的分散量子點的聚合物材料包含UV聚合物，如含丙烯酸系單體、環氧樹脂共聚體和光引發劑的聚合物材料；也包含用其它方法得到的聚合物，如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等。
8.如權利要求1所述的量子點膜，其包含分隔層的制備方法為：步驟1，在第一阻隔基膜上涂布無鎘綠色量子點材料或者鎘系紅色量子點材料，覆蓋非易離型分隔層，固化干燥量子點材料，形成具有第一阻隔基膜、單一量子點層和分隔層的量子點復合基膜；步驟2，在第二阻隔基膜上涂布鎘系紅色量子點材料，覆蓋步驟1所形成的綠色量子點復合基膜，分隔層一面接觸鎘系紅色量子點材料，固化干燥量子點材料，制成包含分隔層的量子點膜；或者在第二阻隔基膜上涂布無鎘綠色量子點材料，覆蓋步驟1所形成的紅色量子點復合基膜，分隔層一面接觸無鎘綠色量子點材料，固化干燥量子點材料，制成包含分隔層的量子點膜。
9.如權利要求1所述的量子點膜，其不包含分隔層的制備方法為：步驟1，在第一阻隔基膜上涂布無鎘綠色量子點材料或者鎘系紅色量子點材料，覆蓋易離型分隔層，易離面接觸量子點材料，固化干燥量子點材料，形成具有第一阻隔基膜、單一量子點層和易離型基膜的量子點復合基膜；步驟2，將步驟1所形成的量子點復合基膜的易離型分隔層剝離，得到具有第一阻隔基膜和單一量子點層的第二復合基膜；步驟3，在第二阻隔基膜上涂布鎘系紅色量子點材料，覆蓋步驟2所形成的綠色量子點第二復合基膜，量子點一面接觸鎘系紅色量子點材料，固化干燥量子點材料，制成不包含分隔層的量子點膜；或者在第二阻隔基膜上涂布無鎘綠色量子點材料，覆蓋步驟2所形成的紅色量子點第二復合基膜，量子點一面接觸無鎘綠色量子點材料，固化干燥量子點材料，制成不包含分隔層的量子點膜。
10.如權利要求1、8-9所述的分隔層，包含聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等薄膜。
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