本發(fā)明屬于柔性基材制備光學(xué)薄膜領(lǐng)域，具體公開一種適用于柔性基材的光學(xué)薄膜及其制作方法。該光學(xué)薄膜，包括基材、過渡層和光學(xué)薄膜層。其制備方法，其具體步驟是：(1)抽真空至本底真空；(2)化學(xué)氣相沉積法形成氧化硅過渡層；(3)磁控濺射法形成光學(xué)薄膜層；(4)光學(xué)薄膜制備完成。該光學(xué)薄膜較好的結(jié)合化學(xué)氣相沉積工藝和磁控光學(xué)鍍膜工藝，通過該復(fù)合鍍膜工藝，可以提高光學(xué)薄膜與塑料柔性薄膜基材的結(jié)合力，既可以實現(xiàn)光學(xué)薄膜在塑料基材的制備，為光學(xué)薄膜的使用或進一步加工創(chuàng)造有利條件；又可以提高磁控濺射制備光學(xué)薄膜的批量化生產(chǎn)，增加經(jīng)濟效益。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及柔性基材制備光學(xué)薄膜領(lǐng)域，具體涉及一種適用于柔性基材的光學(xué)薄膜及其制作方法。

背景技術(shù)

光學(xué)薄膜作為一種功能性薄膜，廣泛地應(yīng)用于日常生活中，例如：光學(xué)鏡頭，濾光片，顯示屏幕等，特別是柔性顯示的技術(shù)發(fā)展，光學(xué)薄膜在柔性顯示領(lǐng)域得到了更為突出的應(yīng)用。

目前已開發(fā)出多種制備光學(xué)薄膜的真空鍍膜工藝，主要有電子槍蒸鍍、磁控濺射、化學(xué)氣相沉積和原子層沉積等。但是，不管采用哪種制備工藝，針對塑料薄膜柔性基材表面的光學(xué)薄膜制備，總會存在一些工藝上難以避免的問題：

1、電子槍的高溫蒸鍍?nèi)菀自斐伤芰匣谋砻娴淖冃危?/p>

2、磁控濺射方法制備的光學(xué)薄膜與塑料薄膜基材間的附著力通常無法滿足使用要求；

3、化學(xué)氣相沉積工藝制備的光學(xué)薄膜由于膜層的成分較難控制，膜系的各層折射率無法保證；

4、原子層沉積工藝由于其較低的沉積速率，也無法廣泛的應(yīng)用于批量化光學(xué)薄膜的生產(chǎn)。

為了解決上述工藝的問題，一些真空鍍膜廠家通過前期預(yù)處理的方式，例如離子源轟擊預(yù)處理，塑料薄膜基材表面硬化處理并加以利用，以提高鍍層與基材之間的附著力，以上工藝路線最大程度的發(fā)揮了離子源高能的表面預(yù)處理效果，但高能離子對塑料薄膜表面的影響，并且沒有提出有效的解決方法。

因此研發(fā)一種能提高光學(xué)薄膜與塑料柔性薄膜基材的結(jié)合力能適用于柔性基材的光學(xué)薄膜及其制作方法迫在眉睫。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，具體公開一種適用于柔性基材的光學(xué)薄膜，該光學(xué)薄膜可以提高光學(xué)薄膜與塑料柔性薄膜基材的結(jié)合力，既可以實現(xiàn)光學(xué)薄膜在塑料基材的制備，又避免膜層應(yīng)力作用導(dǎo)致膜層脫落，具有良好的印刷適性，整個工藝過程簡單，可操作性強，適用范圍廣。

為了達到上述技術(shù)目的，本發(fā)明是按以下技術(shù)方案實現(xiàn)的：

本發(fā)明所述的適用于柔性基材的光學(xué)薄膜，包括基材、過渡層和光學(xué)薄膜層。

作為上述技術(shù)的進一步改進，所述過渡層為氧化硅過渡層。

作為上述技術(shù)的更進一步改進，所述過渡層的厚度范圍值是5nm-20nm；所述光學(xué)薄膜層的厚度范圍是10nm-5000nm。

本發(fā)明還公開了一種適用于柔性基材的光學(xué)薄膜的制備方法，其具體步驟是：

(1)抽真空：將塑料柔性鍍膜工件掛置于真空腔室內(nèi)的工件架上，關(guān)閉真空腔室，開啟真空泵組，對整個真空室進行抽真空，直至達到本底真空；

(2)化學(xué)氣相沉積法形成氧化硅過渡層：達到本底真空后，通入硅烷單體，工件架進行公轉(zhuǎn)和自轉(zhuǎn)，在高壓電源的作用下，硅烷單體發(fā)生裂解反應(yīng)，在基材表面沉積氧化硅過渡層；

(3)磁控濺射法形成光學(xué)薄膜：完成上述步驟(2)的過渡層沉積后，采用磁控濺射的方式，在基材表面沉積光學(xué)薄膜；

(4)光學(xué)薄膜制備完成。

上述步驟(1)中，所述本底真空值為5×10^-3Pa。