本發(fā)明提供了一種反熔絲編程方法、系統(tǒng)及反熔絲器件，通過電壓施加器向同一回路中的反熔絲單元施加電壓，令反熔絲單元被擊穿，產(chǎn)生電流值較大的過沖電流流過該反熔絲單元，以使其從高阻狀態(tài)變成電阻較小的低阻狀態(tài)，同時利用與反熔絲單元串聯(lián)的限流電阻對其產(chǎn)生的過沖電流進(jìn)行限流，產(chǎn)生限制電流，作為回路電流，保護(hù)了反熔絲單元和整個回路；可見，將不對反熔絲單元被擊穿后產(chǎn)生的過沖電流進(jìn)行限制的限流電阻，與反熔絲單元串聯(lián)，增大了反熔絲單元被擊穿后產(chǎn)生的過沖電流的電流值，從而在利用該過沖電流編程時，減小了反熔絲單元被擊穿后低阻狀態(tài)下的電阻，提高了反熔絲單元編程后的可靠性，并降低對應(yīng)用反熔絲單元的電路的邏輯功能的影響。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體的說，是涉及一種反熔絲編程方法、系統(tǒng)及反熔絲器件。

背景技術(shù)

反熔絲(Antifuse)是一次性可編程器件，可被集成于FPGA(field programmablegate array，現(xiàn)場可編程門陣列)、PROM(programmable read only memory，一次可編程只讀存儲器)等反熔絲存儲器內(nèi)部，并廣泛的應(yīng)用于高可靠性的航空航天、軍工FPGA等領(lǐng)域。

反熔絲的工作原理為：在未對反熔絲進(jìn)行編程時，反熔絲呈現(xiàn)高阻狀態(tài)，即反熔絲內(nèi)部處于開路狀態(tài)，在編程過后，反熔絲因被擊穿而呈現(xiàn)低阻狀態(tài)，即反熔絲內(nèi)部處于短路狀態(tài)。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在對反熔絲進(jìn)行編程的過程中，利用晶體管對應(yīng)用此反熔絲的電路進(jìn)行限流保護(hù)，會令反熔絲被擊穿后所呈現(xiàn)的低阻狀態(tài)下的電流受晶體管自身飽和電流所限制，進(jìn)而導(dǎo)致反熔絲被擊穿后所呈現(xiàn)的低阻狀態(tài)下的電阻仍然較高，從而直接影響反熔絲編程后的可靠性，進(jìn)而影響應(yīng)用此反熔絲的電路的邏輯功能。

發(fā)明內(nèi)容

有鑒于此，本發(fā)明提供了一種反熔絲編程方法、系統(tǒng)及反熔絲器件，令反熔絲編程后獲得更小的電阻，以提高反熔絲編程后的可靠性，進(jìn)而降低對應(yīng)用此反熔絲的電路的邏輯功能的影響。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種反熔絲編程方法，包括：

電壓施加器向反熔絲單元施加電壓，所述電壓施加器與所述反熔絲單元串聯(lián)；

當(dāng)所述電壓達(dá)到預(yù)設(shè)電壓值，且持續(xù)時間達(dá)到預(yù)設(shè)時間值時，所述反熔絲單元被擊穿，并產(chǎn)生過沖電流；

限流電阻對所述過沖電流進(jìn)行限流，產(chǎn)生限制電流，并作為回路電流，所述限制電流小于所述過沖電流，所述限流電阻與所述反熔絲單元、所述電壓施加器串聯(lián)。

優(yōu)選地，當(dāng)所述電壓達(dá)到預(yù)設(shè)電壓值，且持續(xù)時間達(dá)到預(yù)設(shè)時間值時，所述反熔絲單元被擊穿，并產(chǎn)生過沖電流，包括：

當(dāng)所述電壓達(dá)到預(yù)設(shè)電壓值，且持續(xù)時間達(dá)到預(yù)設(shè)時間值時，所述反熔絲單元產(chǎn)生導(dǎo)電細(xì)絲，并在所述導(dǎo)電細(xì)絲連接所述反熔絲單元的正極和負(fù)極時，產(chǎn)生所述過沖電流。

優(yōu)選地，所述電壓施加器向反熔絲單元施加電壓，包括：

所述電壓施加器獲取用戶輸入的脈沖寬度和脈沖幅度，所述脈沖寬度和所述脈沖幅度均是用戶根據(jù)所述反熔絲單元的材料和結(jié)構(gòu)所制定的；

所述電壓施加器向所述反熔絲單元施加對應(yīng)所述脈沖寬度和所述脈沖幅度的電壓。

優(yōu)選地，所述限流電阻包括：

發(fā)光二極管或熱敏電阻；

相應(yīng)的，當(dāng)所述限流電阻為所述發(fā)光二極管時，所述限流電阻對所述過沖電流進(jìn)行限流，產(chǎn)生限制電流，并作為回路電流，具體為：所述發(fā)光二極管對所述過沖電流進(jìn)行光能轉(zhuǎn)換，并將經(jīng)過光能轉(zhuǎn)換后產(chǎn)生的所述限制電流作為所述回路電流；