[發(fā)明專利]氧化鋅同質(zhì)結(jié)及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810315838.8 | 申請日： | 2018-04-10 |
| 公開（公告）號： | CN110364592B | 公開（公告）日： | 2021-09-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 黃盼寧;楊一行 | 申請（專利權(quán)）人： | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L33/28;H01S5/30;H01S5/327;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人： | 李艷麗 |
| 地址： | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 氧化鋅 同質(zhì) 及其 制備 方法 | ||
1.一種氧化鋅同質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
提供n型氧化鋅納米薄膜，且所述n型氧化鋅納米薄膜為鋁摻雜的氧化鋅納米材料薄膜；
將所述n型氧化鋅納米薄膜置于真空加熱裝置中，真空狀態(tài)下通入NO氣體，加熱進行氮摻雜反應(yīng)，使所述n型氧化鋅納米薄膜的表面生成鋁和氮共摻雜的p型氧化鋅納米薄膜，得到氧化鋅同質(zhì)結(jié)，其中，所述加熱進行氮摻雜反應(yīng)的溫度為300-450℃。
2.如權(quán)利要求1所述的氧化鋅同質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，真空狀態(tài)下通入NO氣體的步驟中，所述NO氣體的流量為4-5sccm。
3.如權(quán)利要求1或2所述的氧化鋅同質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，所述p型氧化鋅納米薄膜中，氮與鋁的摩爾比為1:1～4:1。
4.如權(quán)利要求3所述的氧化鋅同質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，所述n型氧化鋅納米薄膜中，以所述n型氧化鋅納米薄膜的總質(zhì)量為100％計，鋁的質(zhì)量百分含量為1.5-10％。
5.如權(quán)利要求1或2所述的氧化鋅同質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，所述n型氧化鋅納米薄膜采用磁控濺射方法制備。
6.如權(quán)利要求5所述的氧化鋅同質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，采用磁控濺射方法制備所述n型氧化鋅納米薄膜的方法如下：
提供沉積有氧化鋅緩沖層的襯底，以氬氣和氧氣作為工作氣體，以鋅鋁合金作為靶材，在200-400℃條件下磁控濺射生長20-100min，其中，所述工作氣體的流量為0.5-3sccm，所述氬氣的分壓比為20％-50％，射頻功率為150-300W。
7.如權(quán)利要求6所述的氧化鋅同質(zhì)結(jié)的制備方法，其特征在于，所述氧化鋅緩沖層的制備方法如下：
提供襯底，將所述襯底進行表面清潔處理后，置于磁控濺射的生長室中，抽真空通氧氣，在150-400℃條件下加熱處理，得到潔凈襯底；
在200-400℃條件下，以鋅作為靶材，以氧氣作為工作氣體，在所述潔凈襯底表面磁控濺射生長氧化鋅緩沖層，其中，所述氧氣的流量為0.5-3sccm，射頻功率為150-300W。
8.一種氧化鋅同質(zhì)結(jié)，其特征在于，包括連續(xù)結(jié)合的n型氧化鋅納米薄膜和p型氧化鋅納米薄膜，其中，所述n型氧化鋅納米薄膜為鋁摻雜的氧化鋅納米材料薄膜，所述p型氧化鋅納米薄膜為鋁和氮共摻雜的p型氧化鋅納米材料薄膜。
9.如權(quán)利要求8所述的氧化鋅同質(zhì)結(jié)，其特征在于，所述n型氧化鋅納米薄膜中，以所述n型氧化鋅納米薄膜的總質(zhì)量為100％計，鋁的質(zhì)量百分含量為1.5-10％；和/或
所述p型氧化鋅納米薄膜中，氮與鋁的摩爾比為1:1～4:1。
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