本發明涉及一種包括具有角部的第一金屬層區域的基底，所述基底包括陶瓷板(2)，該基底包括第一金屬層區域(5)，該第一金屬層區域(5)具有角部(6)，第一金屬層區域被布置在所述陶瓷板(2)的第一主表面(2a)上，其中，第一金屬層區域(5)具有第一角部(6)，該第一角部(6)將第一金屬層區域(5)的直的第一金屬層區域邊緣部分(5a)連接至第一金屬層區域(5)的直的第二金屬層區域邊緣部分(5b)，第二金屬層區域邊緣部分與第一金屬層區域(5)的第一金屬層區域邊緣部分(5a)垂直地延伸，其中，第一金屬層區域(5)的第一角部(6)具有50μm至180μm的角部半徑(R)。本發明提供了一種耐受溫度變化的可靠基底。

技術領域

本發明涉及一種基底，該基底包括陶瓷板，并且包括第一金屬層區域，第一金屬層區域具有角部，所述第一金屬層區域被布置在陶瓷板的第一主表面上。

背景技術

在從現有技術已知的功率半導體模塊的情況下，通常諸如功率半導體開關和二極管的功率半導體部件被布置在基底上，并且借助于基底的導體層、接合線和/或膜復合物而彼此導電地連接。在這種情況下，功率半導體開關通常以晶體管的形式或晶閘管的形式存在，其中，晶體管諸如例如為IGBT(絕緣柵雙極晶體管)或MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。

基底通常具有結構化的導電金屬層，該導電金屬層被布置在陶瓷板的第一主表面上，所述金屬層形成金屬層區域，該金屬層區域由于其結構而布置在彼此相距一定距離處。為了制造基底，通常將均勻厚度的金屬片連接至陶瓷本體，然后，由金屬片形成金屬層區域。在這種情況下，金屬片可包括多個不同金屬層和/或在連接至陶瓷本體之后設置有至少一個附加金屬涂層。這種基底在本領域中常規地也被稱為DCB(直接銅接合)基底或AMB(活性金屬釬焊)基底。在最簡單的情況下，也可能僅是待布置在陶瓷板的第一主表面上的單個金屬層區域。

在這種基于陶瓷板的基底的情況下，出現以下問題：由于陶瓷板和相應的金屬層區域的不同熱膨脹系數，因而在溫度變化的情況下出現機械應力，該機械應力能夠導致陶瓷板中的應力裂紋。具體地是，陶瓷板的、布置在相應的金屬層區域的角部的直接附近的區域對于這種應力裂紋來說至關重要。

為了減少由溫度變化引起的機械應力并避免陶瓷的應力裂紋，從JP2015225948A已知，在相應的金屬層區域的整個邊緣周圍，在相應的金屬層區域的邊緣區域中布置孔。相應的金屬層區域的角部具有角部半徑。

EP 1 061 783 B1公開了給布置在多片基底(multiple substrate)上的金屬層區域的邊緣區域提供邊緣弱化部，用于避免在為了由多片基底產生多個基底的目的而使多片基底進行定向打斷的過程中可能發生的不期望的剝落的目的。

發明內容

本發明的目的是提供耐受溫度變化的可靠基底。

該目的借助于包括陶瓷板的基底來實現，該基底包括第一金屬層區域，第一金屬層區域具有角部，所述第一金屬層區域被布置在陶瓷板的第一主表面上，其中，第一金屬層區域具有第一角部，該第一角部將第一金屬層區域的直的第一金屬層區域邊緣部分連接至第一金屬層區域的直的第二金屬層區域邊緣部分，所述第二金屬層區域邊緣部分與第一金屬層區域的第一金屬層區域邊緣部分垂直地延伸，其中，第一金屬層區域的第一角部具有50μm至180μm的角部半徑。

本發明的有利實施例從以下顯而易見。

如果第一金屬層區域的所有角部均具有50μm至180μm的角部半徑，因為基底這樣特別耐受溫度變化，則證明是有利的。