[發明專利]OLED薄膜封裝方法有效
| 申請號: | 201810226756.6 | 申請日: | 2018-03-19 |
| 公開(公告)號: | CN108461659B | 公開(公告)日: | 2020-05-29 |
| 發明(設計)人: | 何超 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/56 | 分類號: | H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人: | 林才桂;王中華 |
| 地址: | 518132 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | oled 薄膜 封裝 方法 | ||
1.一種OLED薄膜封裝方法,其特征在于,包括如下步驟:
步驟S1、提供一OLED基板(10),所述OLED基板(10)包括:至少一個OLED像素區(11)、位于所述OLED像素區(11)四周的遮蔽區(12)以及位于包圍所述遮蔽區(12)的邦定區(13);
步驟S2、在所述OLED基板(10)上形成光阻薄膜,并對所述光阻薄膜進行圖案化,去除所述OLED像素區(11)及邦定區(13)的光阻薄膜,得到位于所述遮蔽區(12)的光阻遮擋層(20);
步驟S3、將制作有光阻遮擋層(20)的OLED基板(10)移入封裝機臺,在所述OLED基板(10)上形成薄膜封裝層(30),所述薄膜封裝層(30)覆蓋全部OLED像素區(11)及至少部分遮蔽區(12);
步驟S4、剝離所述光阻遮擋層(20)和位于所述光阻遮擋層(20)上的薄膜封裝層(30);
所述光阻遮擋層(20)包括:覆蓋所述遮蔽區(12)的襯底部(21)以及位于所述襯底部(21)上的多個間隔排布的凸起部(22),所述凸起部(22)靠近所述襯底部(21)的一側的寬度小于所述凸起部(22)遠離所述襯底部(21)的一側的寬度。
2.如權利要求1所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述步驟S2中通過一道半色調光罩或灰階光罩圖案化所述光阻薄膜。
3.如權利要求1所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述凸起部(22)遠離所述襯底部(21)的一側的寬度為3~10μm,相鄰的兩個凸起部(22)之間的間隔為5~8μm。
4.如權利要求1所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述薄膜封裝層(30)包括依次層疊的第一無機封裝層(31)、有機封裝層(32)及第二無機封裝層(33)。
5.如權利要求4所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述步驟S3中沉積的第一無機封裝層(31)及第二無機封裝層(33)的面積均小于所述光阻遮擋層(20)的面積。
6.如權利要求4所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述第一無機封裝層(31)和第二無機封裝層(33)的材料為氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧化鋁、或氮化鋁。
7.如權利要求4所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述步驟S3中通過化學氣相沉積或原子層沉積的方法沉積所述第一無機封裝層(31)及第二無機封裝層(33)。
8.如權利要求1所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述OLED像素區(11)包括陣列排布的多個OLED發光器件。
9.如權利要求5所述的OLED薄膜封裝方法,其特征在于,所述步驟S3中沉積的第一無機封裝層(31)及第二無機封裝層(33)的有效寬度均比所述光阻遮擋層(20)的有效寬度小1~2mm。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于深圳市華星光電技術有限公司,未經深圳市華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.17sss.com.cn/pat/books/201810226756.6/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料選擇





