1.一種助熔劑法生長極低位錯密度氮化鎵單晶的方法，其特征在于包括：

于氮化鎵襯底上設置圖形化掩膜；

以所述氮化鎵襯底作為籽晶，利用液相外延方法生長獲得低位錯密度氮化鎵單晶，所述低位錯密度氮化鎵單晶中的位錯密度為10⁴~10⁶cm^-2；

對所述低位錯密度氮化鎵單晶進行化學拋光處理后采用熔融KOH或熔融NaOH對所述低位錯密度氮化鎵單晶進行位錯選擇腐蝕，使得穿透位錯區域形成深度為10~500μm的孔洞結構，而未被腐蝕區域為無穿透位錯區域或低穿透位錯區域，再采用蒸鍍或旋涂方式對腐蝕區域進行填埋處理，獲得包含有填埋物的氮化鎵單晶，所述填埋物的材質選自金屬和/或金屬化合物，所述金屬選自Ga或Al，所述金屬化合物選自 GaCl₃或AlCl₃；以及

以包含有填埋物的氮化鎵單晶作為籽晶，利用液相外延方法生長獲得極低位錯密度氮化鎵單晶，所述極低位錯密度氮化鎵單晶中的位錯密度為10²~10⁴cm^-2。