[發明專利]柔性基材層的制作方法有效
| 申請號： | 201810078833.8 | 申請日： | 2018-01-26 |
| 公開（公告）號： | CN108257912B | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發明（設計）人： | 沈海洋 | 申請（專利權）人： | 武漢華星光電半導體顯示技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/77 | 分類號： | H01L21/77;H01L27/32 |
| 代理公司： | 深圳市德力知識產權代理事務所 44265 | 代理人： | 林才桂;王中華 |
| 地址： | 430070 湖北省武漢市東湖新技術*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 基材 制作方法 | ||
1.一種柔性基材層的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟S1、提供一底板(1)，在所述底板(1)上涂布柔性基材液(3’)；
步驟S2、提供一蓋板(2)，將所述蓋板(2)全貼合到所述柔性基材液(3’)上，使得所述蓋板(2)完全遮蓋所述柔性基材液(3’)；
步驟S3、對所述底板(1)上的柔性基材液(3’)進行真空干燥；
步驟S4、對所述底板(1)上的柔性基材液(3’)進行加壓脫泡；
步驟S5、對所述底板(1)上的柔性基材液(3’)進行烘烤固化，得到柔性基材層(3)。
2.如權利要求1所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，還包括：步驟S6、將所述的蓋板(2)從所述柔性基材層(3)上移除。
3.如權利要求2所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述步驟S6中先通過激光剝離的方式使得所述蓋板(2)與柔性基材層(3)分離，再移除所述蓋板(2)。
4.如權利要求1所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述柔性基材液(3’)為聚酰亞胺液。
5.如權利要求1所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述底板(1)和蓋板(2)的材料均為玻璃。
6.如權利要求1所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述步驟S1中涂布的柔性基材液的厚度為5～30μm。
7.如權利要求1所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中全貼合的壓力大小為0.1～0.3MPa，加壓時長為3～20秒。
8.如權利要求1所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述步驟S3中真空干燥的溫度為30～90℃，時長為250～800秒。
9.如權利要求1所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述步驟S5中烘烤固化的溫度100～550℃，時間3～6小時。
10.如權利要求3所述的柔性基材層的制作方法，其特征在于，所述步驟S6中激光剝離的能量大小為100～400兆焦。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
