本發(fā)明涉及一種用于地面電推進(jìn)試驗(yàn)等離子空間環(huán)境模擬設(shè)備中的防濺射系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種底端防濺射靶。底端防濺射靶包括底端防濺射靶骨架主體和底端防濺射靶翅片組；底端防濺射靶骨架主體包括第三管、第四管和第二冷卻管；第三管上連接有第二進(jìn)液口，第四管上連接有第二出液口；第二冷卻管有多個(gè)，多個(gè)第二冷卻管沿垂直于長度方向間隔設(shè)置；多個(gè)第二冷卻管通過第三管和第四管固定連接，第三管、第四管和多個(gè)第二冷卻管之間相連通；底端防濺射靶翅片組與第二冷卻管連接，以封堵相鄰第二冷卻管之間的空隙。本發(fā)明在于提供一種底端防濺射靶，解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的防濺射靶對(duì)濺射產(chǎn)物及返流污染物的降低效果不佳的技術(shù)問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于地面電推進(jìn)試驗(yàn)等離子空間環(huán)境模擬設(shè)備中的防濺射系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種底端防濺射靶。

背景技術(shù)

電推進(jìn)羽流主要由氣體電離形成的等離子體組成，包含束流等離子體和電荷交換等離子體，會(huì)對(duì)航天器產(chǎn)生濺射污染效應(yīng)，既包括帶電粒子和中性粒子的沉積污染，又有高速帶電粒子對(duì)航天器表面濺射刻蝕造成的濺射污染。

在地面電推進(jìn)試驗(yàn)中，當(dāng)高能束流離子和電荷交換離子碰撞于真空艙艙壁材料表面時(shí)，只要離子能量大于被碰撞材料的濺射閾值就會(huì)產(chǎn)生濺射污染，從而影響真空艙內(nèi)粒子分布情況，嚴(yán)重影響實(shí)驗(yàn)結(jié)果。因此，需要對(duì)防濺射分子沉進(jìn)行合理設(shè)計(jì)。

國際上一些適用于電推進(jìn)的大型真空艙的防濺射分子沉結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)主要有平板式，異形式兩種。但是現(xiàn)有的的防濺射分子沉結(jié)構(gòu)的防濺射靶的結(jié)構(gòu)簡單，且在進(jìn)行長時(shí)間地面電推進(jìn)實(shí)驗(yàn)以及沉積污染物成分、質(zhì)量分析時(shí)，濺射產(chǎn)物的空間分布及返流污染物都會(huì)對(duì)實(shí)驗(yàn)結(jié)果造成影響。

因此，本申請(qǐng)針對(duì)上述問題提供一種新的底端防濺射靶。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的目的在于提供一種底端防濺射靶，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的防濺射靶對(duì)濺射產(chǎn)物及返流污染物的降低效果不佳的技術(shù)問題。

基于上述目的，本發(fā)明提供一種底端防濺射靶，包括底端防濺射靶骨架主體和底端防濺射靶翅片組；

所述底端防濺射靶骨架主體包括第三管、第四管和第二冷卻管；

所述第三管上連接有第二進(jìn)液口，所述第四管上連接有第二出液口；

所述第二冷卻管有多個(gè)，且多個(gè)所述第二冷卻管沿垂直于長度方向間隔設(shè)置；

多個(gè)所述第二冷卻管通過所述第三管和所述第四管固定連接，且所述第三管、所述第四管和多個(gè)所述第二冷卻管之間均相連通；

所述底端防濺射靶翅片組與所述第二冷卻管連接，以封堵相鄰所述第二冷卻管之間的空隙。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，本發(fā)明所述第三管的中心線和所述第四管的中心線均呈圓弧狀；

所述第三管的中心線和所述第四管的中心線共圓，且所述第三管和所述第四管對(duì)稱設(shè)置于所共圓的圓形沿徑向方向的兩端；

所述第二冷卻管沿延伸方向的兩端分別連通所述第三管和所述第四管。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，本發(fā)明所述第二冷卻管包括冷卻直管；

所述冷卻直管沿軸線方向的一端通過第一連接彎管連通所述第三管，另一端通過第二連接彎管連通所述第四管；

且多個(gè)所述第二冷卻管的冷卻直管沿所述第三管的延伸方向均勻設(shè)置。

在上述任一技術(shù)方案中，進(jìn)一步地，本發(fā)明所述底端防濺射靶為立式結(jié)構(gòu)；

所述第三管位于所述第四管的底端；

所述第二進(jìn)液口位于所述第三管沿延伸方向的中間位置；和/或，所述第二出液口位于所述第四管沿延伸方向的中間位置。