1.一種計算半導體器件的頻率與電流關系的方法，所述半導體器件包括多個分層，其特征在于，所述方法包括：

獲取所述半導體器件的基礎參數；

基于熱擴散角原理根據所述基礎參數計算所述半導體器件的結殼穩態熱阻，以及根據所述基礎參數獲得所述半導體器件的總功耗的表達式，所述表達式是結溫、工作頻率和集電極電流的函數；

根據所述總功耗的表達式與所述結殼穩態熱阻，利用一組預設的工作頻率和集電極電流進行迭代計算，獲得所述半導體器件的結溫；

在所述一組預設的工作頻率和集電極電流當中，確定與所述獲得的結溫相對應的工作頻率和集電極電流，

所述基礎參數包括測試數據；

所述根據所述基礎參數獲得所述半導體器件的總功耗的表達式包括：

計算所述測試數據的擬合參數；

根據所述擬合參數與所述基礎參數獲得所述半導體器件的導通功耗P_con的表達式；

根據所述擬合參數與所述基礎參數獲得所述半導體器件的開關功耗P_sw的表達式；

根據以下等式獲得所述半導體器件的總功耗P_tot的表達式：

P_tot＝P_con+P_sw

其中P_con表示所述半導體器件的導通功耗，P_sw表示所述半導體器件的開關功耗，P_tot表示所述半導體器件的總功耗，

所述測試數據包括：

第一測試數據，所述第一測試數據包括所述半導體器件在不同測試結溫和不同測試集電極電流下的飽和壓降；以及

第二測試數據，所述第二測試數據包括所述半導體器件在不同測試集電極電流下的總開關能量損耗。