[發(fā)明專利]一種高速SPI接口安全芯片的版圖結(jié)構(gòu)在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810008248.0 | 申請日: | 2018-01-04 |
| 公開(公告)號: | CN108365003A | 公開(公告)日: | 2018-08-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 趙奇;胡旭;胡毅;唐曉柯;張海峰;趙東艷 | 申請(專利權(quán))人: | 北京智芯微電子科技有限公司;國網(wǎng)信息通信產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司;國家電網(wǎng)有限公司 |
| 主分類號: | H01L29/423 | 分類號: | H01L29/423;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/78 |
| 代理公司: | 北京中譽(yù)威圣知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11279 | 代理人: | 席勇 |
| 地址: | 100192 北京市海淀區(qū)*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 版圖區(qū) 安全芯片 版圖結(jié)構(gòu) 覆蓋 | ||
本發(fā)明公開了一種高速SPI接口安全芯片的版圖結(jié)構(gòu),包括:第1版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū),其中,第1版圖區(qū)與第2?9版圖區(qū)相連;第2版圖區(qū)與第1、4以及5版圖區(qū)相連;第3版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連;第4版圖區(qū)與1?3版圖區(qū)及第5?9版圖區(qū)相連;第5版圖區(qū)與第1、2、4和8版圖區(qū)相連;第6版圖區(qū)與第1和5版圖區(qū)相連;第7版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連;第8版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連;以及第9版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連,第9版圖區(qū)覆蓋安全芯片上的除第5版圖區(qū)之外的所有區(qū)域。本發(fā)明的版圖結(jié)構(gòu)布局固定、合理,提高了安全芯片的速度、安全性及可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種安全芯片的版圖結(jié)構(gòu),特別涉及一種高速SPI接口安全芯片的版圖結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
安全芯片作為信息安全技術(shù)的重要載體,其功能和可靠性對信息安全起著至關(guān)重要的作用。近年來,隨著集成電路產(chǎn)業(yè)的不斷發(fā)展,安全芯片的設(shè)計水平也逐漸提高,安全芯片種類日趨豐富,包括簡單的數(shù)據(jù)保護(hù)電路,密碼算法硬件加速器,內(nèi)嵌CPU的SOC系統(tǒng)等。但與此同時,對安全芯片的各種攻擊方法也是層出不窮。這些攻擊方法通過探測和分析安全芯片在運(yùn)行過程中泄漏的功耗、時間、電磁波等信息來推斷和獲取芯片內(nèi)密碼系統(tǒng)的密鑰,進(jìn)而獲得芯片存儲數(shù)據(jù)。為進(jìn)一步提高安全芯片抗攻擊能力,市場上出現(xiàn)了基于特定算法和防御技術(shù)的安全芯片,這些安全芯片從系統(tǒng)架構(gòu)、安全啟動、密鑰管理、旁道攻擊防御技術(shù)等多種角度入手,基于SOC系統(tǒng)形成了相對有效的防護(hù)機(jī)制,在一定程度上增強(qiáng)了安全芯片的安全防護(hù)能力。具體到版圖實(shí)現(xiàn)方面,主要安全防護(hù)措施包括加入檢測報警模塊、設(shè)置防護(hù)屏蔽層、設(shè)置EFUSE熔斷單元等。
但是,隨著安全協(xié)議的日益復(fù)雜和芯片通信速度要求的不斷提升,現(xiàn)有安全芯片暴露出算法單一、通信速度偏慢,可靠性不高等問題。而隨著芯片攻擊手段的豐富,一些安全芯片防御技術(shù)也較容易被破解,芯片的安全防護(hù)還需要進(jìn)一步完善。
公開于該背景技術(shù)部分的信息僅僅旨在增加對本發(fā)明的總體背景的理解,而不應(yīng)當(dāng)被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種高速SPI接口安全芯片的版圖結(jié)構(gòu),從而克服現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種高速SPI接口安全芯片的版圖結(jié)構(gòu),包括:第1版圖區(qū)、第2版圖區(qū)、第3版圖區(qū)、第4版圖區(qū)、第5版圖區(qū)、第6版圖區(qū)、第7版圖區(qū)、第8版圖區(qū)和第9版圖區(qū),其中,第1版圖區(qū)與第2-9版圖區(qū)相連;第2版圖區(qū)與第1、4以及5版圖區(qū)相連;第3版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連;第4版圖區(qū)與1-3版圖區(qū)及第5-9版圖區(qū)相連;第5版圖區(qū)與第1、2、4和8版圖區(qū)相連,第5版圖區(qū)分布于安全芯片的左右兩側(cè);第6版圖區(qū)與第1和5版圖區(qū)相連;第7版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連;第8版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連;以及第9版圖區(qū)與第1和4版圖區(qū)相連,第9版圖區(qū)覆蓋安全芯片上的除第5版圖區(qū)之外的所有區(qū)域。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,第1版圖區(qū)為模擬IP版圖區(qū),模擬IP版圖區(qū)包括帶隙基準(zhǔn)源、電壓參考源、功耗尖峰檢測模塊、電壓檢測模塊、溫度檢測模塊、光檢測模塊、低頻振蕩器和高頻振蕩器模塊。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,第2版圖區(qū)為512K Bytes FLASH版圖區(qū),F(xiàn)LASH版圖區(qū)緊鄰第1版圖布置。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,第3版圖區(qū)為數(shù)據(jù)存儲交互模塊版圖區(qū),數(shù)據(jù)存儲交互模塊版圖區(qū)緊鄰第4版圖區(qū)布置。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,第4版圖區(qū)為數(shù)字邏輯單元版圖區(qū),數(shù)字邏輯單元版圖區(qū)包括SM1、SM2和SM4算法模塊版圖、測試模塊版圖以及安全加密模塊版圖。
優(yōu)選地,上述技術(shù)方案中,第5版圖區(qū)為輸入輸出接口版圖區(qū),輸入輸出接口版圖區(qū)包括24個平行式輸入輸出接口版圖,24個平行式輸入輸出接口均勻分布于安全芯片版圖左右兩側(cè)。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于北京智芯微電子科技有限公司;國網(wǎng)信息通信產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司;國家電網(wǎng)有限公司,未經(jīng)北京智芯微電子科技有限公司;國網(wǎng)信息通信產(chǎn)業(yè)集團(tuán)有限公司;國家電網(wǎng)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L29-00 專門適用于整流、放大、振蕩或切換,并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導(dǎo)體器件;具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘,例如PN結(jié)耗盡層或載流子集結(jié)層的電容器或電阻器;半導(dǎo)體本體或其電極的零部件
H01L29-02 .按其半導(dǎo)體本體的特征區(qū)分的
H01L29-40 .按其電極特征區(qū)分的
H01L29-66 .按半導(dǎo)體器件的類型區(qū)分的
H01L29-68 ..只能通過對一個不通有待整流、放大或切換的電流的電極供給電流或施加電位方可進(jìn)行控制的
H01L29-82 ..通過施加于器件的磁場變化可控的
- 相變存儲器芯片版圖結(jié)構(gòu)
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- 一種溫度補(bǔ)償時鐘芯片的版圖結(jié)構(gòu)
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- 一種高速SPI接口安全芯片的版圖結(jié)構(gòu)
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- 一種高靈敏度大容量射頻標(biāo)簽芯片的版圖結(jié)構(gòu)及射頻標(biāo)簽芯片
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