[發(fā)明專利]圖案形成方法、加工基板的生產方法、光學部件的生產方法、電路板的生產方法、電子部件的生產方法和壓印模具的生產方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201780021961.2 | 申請日： | 2017-03-29 |
| 公開（公告）號： | CN108885975A | 公開（公告）日： | 2018-11-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 伊藤俊樹;劉衛(wèi)軍;布賴恩·蒂莫西·斯塔霍維亞克;尼亞茲·科斯納蒂諾夫;大谷智教;田邊正幸 | 申請（專利權）人： | 佳能株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/027 | 分類號： | H01L21/027;B29C59/02 |
| 代理公司： | 北京魏啟學律師事務所 11398 | 代理人： | 魏啟學 |
| 地址： | 日本東京都大*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 固化性組合物 聚合性化合物 混合層 重量份 基板 光聚合引發(fā)劑 固化 生產 模具 聚合轉化率 電路板 電子部件 光學部件 加工基板 圖案形成 壓印模具 曝光 滴落 夾持 液滴 照度 照射 圖案 脫離 配置 | ||
1.一種圖案形成方法，其特征在于，其依次包括：
第一層疊步驟(1)：將由至少包含用作聚合性化合物的組分(a1)的固化性組合物(A1)形成的層層疊在基板的表面上；
第二層疊步驟(2)：將至少包含用作聚合性化合物的組分(a2)和用作光聚合引發(fā)劑的組分(b2)的固化性組合物(A2)的液滴離散地滴落在由所述固化性組合物(A1)形成的層上；
模具接觸步驟(3)：將由所述固化性組合物(A1)和所述固化性組合物(A2)部分地混合形成的混合層夾持在具有圖案的模具和所述基板之間；
光照射步驟(4)：從模具側用光照射所述混合層以使所述混合層固化；和
脫模步驟(5)：將所述模具與固化后的所述混合層脫離，
其中，所述固化性組合物(A1)也層疊在所述模具和所述混合層彼此接觸的區(qū)域的周圍，
所述固化性組合物(A1)的用作光聚合引發(fā)劑的組分(b1)的含量相對于100重量份所述用作聚合性化合物的組分(a1)為0重量份以上且小于0.1重量份，
在照度為1.00mW/cm2且曝光時間為100.0秒的條件下曝光時，所述用作聚合性化合物的組分(a1)的聚合轉化率為50％以下。
2.根據權利要求1所述的圖案形成方法，其中所述固化性組合物(A1)至少包含用作敏化劑的組分(c1)，或者至少包含作為氫供體的用作非聚合性化合物的組分(d1)。
3.根據權利要求2所述的圖案形成方法，其中在照度為1.00mW/cm2且曝光時間為3.2秒的條件下曝光時，除了用作溶劑的組分(e1)以外的所述固化性組合物(A1)的各組分的組合物的聚合轉化率為3％以下。
4.根據權利要求3所述的圖案形成方法，其中所述固化性組合物(A1)包含選自由二苯甲酮衍生物、噻噸酮衍生物和香豆素衍生物組成的組的至少一種組分(c1)用作敏化劑。
5.根據權利要求3所述的圖案形成方法，其中所述固化性組合物(A1)包含選自由7-二乙基氨基-4-甲基香豆素、4,4'-雙(二乙基氨基)二苯甲酮和2-異丙基噻噸酮組成的組的至少一種組分(c1)用作敏化劑。
6.根據權利要求1所述的圖案形成方法，其中從固化性組合物(A1′)的聚合轉化率減去固化性組合物(A1”)的聚合轉化率而獲得的值為正值，
其中，在照度為1.00mW/cm2且曝光時間為3.2秒的條件下曝光時，評價所述固化性組合物(A1')和所述固化性組合物(A1″)各自的聚合轉化率，
其中
所述固化性組合物(A1')通過向從包括用作敏化劑的組分(c1)的所述固化性組合物(A1)中除去用作溶劑的組分(e1)的固化性組合物中添加相對于100重量份所述用作聚合性化合物的組分(a1)為0.5重量份的所述用作光聚合引發(fā)劑的組分(b2)來制備，和
所述固化性組合物(A1″)通過向從所述固化性組合物(A1)中除去所述用作敏化劑的組分(c1)和所述用作溶劑的組分(e1)的固化性組合物中添加相對于100重量份所述用作聚合性化合物的組分(a1)為0.5重量份的所述用作光聚合引發(fā)劑的組分(b2)來制備。
7.根據權利要求2所述的圖案形成方法，其中所述固化性組合物(A1)中所述用作敏化劑的組分(c1)的共混比相對于除了用作溶劑的組分(e1)以外的所述固化性組合物(A1)的各組分的總重量為0.01wt％以上且3wt％以下。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
