一種電子書觸控板傳感器用光電二極管，低摻雜的N型高阻硅襯底上設有高摻雜P型硅層，形成PN結，低摻雜的N型高阻硅襯底外環為高摻雜N型硅環，所述N型高阻硅襯底、高摻雜P型硅層和高摻雜N型硅層上有碳納米層，所述高摻雜P型硅層和高摻雜N型硅環間的低摻雜N型高阻硅襯底向外凸起形成低摻雜外延硅層，所述碳納米層上有圓角正方形狀接觸孔，接觸孔內沉積金屬Al作為陽極，N型高阻硅襯底的背面沉積Cr/Au混合金屬作為陰極。本實用新型的二極管尺寸小，壽命長，靈敏度高，適用于電子書觸控板傳感器。

技術領域

本實用新型涉及半導體功率器件，特別涉及一種電子書觸控板傳感器用光電二極管。

背景技術

光電二極管是一種將光能轉換為電能的半導體器件，基于PN結的光伏效應工作。光電二極管主要用于可見光及紅外光譜區，通常在反偏置條件下工作，也可以用在零偏置狀態。光電二極管在光照時產生光電流，無光照時，和普通二極管一樣，其反向電流很小，稱為暗電流；有光照時，反向電流迅速增大到幾十微安，稱為亮電流。光的強度越大，反向電流也越大。影響反向擊穿電壓的因素有雜質濃度、半導體薄層厚度，反向擊穿電壓還與PN結點形狀、表面狀況及材料結構等諸多因素有關。光電二極管是電子書觸控板傳感器常用二極管，電子書觸控板傳感器久用后容易出現靈敏度降低，接觸不良等問題，因此需要提供使用壽命更長的光電二極管。

發明內容

本實用新型的目的在于提供一種尺寸小，壽命長，靈敏度高的光電二極管。

實現本實用新型的技術方案是：電子書觸控板傳感器用光電二極管，低摻雜的N型高阻硅襯底上設有高摻雜P型硅層，形成PN結，低摻雜的N型高阻硅襯底外環為高摻雜N型硅環，所述N型高阻硅襯底、高摻雜P型硅層和高摻雜N型硅層上有碳納米層，所述高摻雜P型硅層和高摻雜N型硅環間的低摻雜N型高阻硅襯底向外凸起形成低摻雜外延硅層；所述陰極電極和陽極電極外設有二氧化硅和氮化硅復合保護膜。作為新型材料，碳納米有著傳導性能好，能有效提高二極管靈敏度，而在電極外設置二氧化硅和氮化硅復合保護膜，可保護電極，防止電極腐蝕。

作為本實用新型的進一步改進，所述碳納米層上有圓角正方形狀接觸孔，接觸孔內沉積金屬Al作為陽極，N型高阻硅襯底的背面沉積Cr/Au混合金屬作為陰極。采用Cr/Au混合金屬作為陰極可延長電極壽命。

作為本實用新型的進一步改進，所述二極管硅晶片尺寸為0.5mm×0.3mm×280μm。

作為本實用新型的進一步改進，所述低摻雜的N型高阻硅襯底電阻率為1200~4000Ω·cm，厚度200μm。

作為本實用新型的進一步改進，所述高摻雜N型硅環深度為80μm，所述高摻雜P型硅層深度為80μm。

作為本實用新型的進一步改進，所述陽極金屬Al的厚度為2μm，所述陰極Cr/Au混合金屬的厚度為0.1μm。

本實用新型尺寸小，壽命長，靈敏度高，適用于于電子書觸控面板傳感器。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例1的光電二極管平面結構示意圖；

圖2為本實用新型實施例1的光電二極管截面示意圖。

具體實施方式