本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供一種第一半導(dǎo)體組件、第二半導(dǎo)體組件以及半導(dǎo)體器件，其中半導(dǎo)體器件，包括第一半導(dǎo)體組件，以及第二半導(dǎo)體組件；所述第一半導(dǎo)體組件與所述第二半導(dǎo)體組件層疊設(shè)置，且，所述第一半導(dǎo)體組件中的半導(dǎo)體功能層與所述第二半導(dǎo)體組件中的鍵合區(qū)結(jié)構(gòu)鍵合連接。通過將第一半導(dǎo)體組件與第二半導(dǎo)體組件層疊設(shè)置且第一半導(dǎo)體組件中的半導(dǎo)體功能層與第二半導(dǎo)體組件中的鍵合區(qū)鍵合連接，該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件能夠避免半導(dǎo)體功能層與光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)精準(zhǔn)對位的問題，降低了半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)工藝難度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種第一半導(dǎo)體組件、第二半導(dǎo)體組件以及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)

隨著信息技術(shù)的高速發(fā)展，人們對計算機的運算速度和信息存儲量的要求也越來越高。而光子具有傳播速度快，傳輸容量大，響應(yīng)速度快，處理速度快的特點。同時，還具有集成化以及高度的抗電磁干擾性的優(yōu)勢，帶寬比電子大幾個數(shù)量級。因此，人們希望將光子作為信息載體與成熟的硅微電子技術(shù)相結(jié)合，實現(xiàn)硅基光電集成。

其中，激光器是核心光電子元件之一，硅基激光器與硅基波導(dǎo)器件集成提供光源，是用于硅基光子集成的重要器件。現(xiàn)有技術(shù)中，激光器與硅基光電子集成電路的集成方式，采用以下幾種方案：(1)通過光纖將激光器和硅基波導(dǎo)的連接；(2)將激光器芯片倒裝至硅基波導(dǎo)；(3)利用化合物半導(dǎo)體材料作為增益截止，利用倏然而逝的波導(dǎo)入硅基波導(dǎo)進行混合集成。然而，上述方案(1)中，由于采用光纖連接方式空間占比高，對準(zhǔn)難度隨器件密度大幅提高；上述方案(2)中，需要將制備完成的激光器芯片倒裝至硅基波導(dǎo)上，對準(zhǔn)難度較大；上述方案(3)中，由于采用的波導(dǎo)瞬間即逝，容易導(dǎo)致硅基波導(dǎo)的耦合效率低。

實用新型內(nèi)容

本實用新型要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)中由于硅基激光器的制備過程中對準(zhǔn)難度大所導(dǎo)致的制備工藝復(fù)雜的缺陷。

鑒于此，本實用新型提供一種第一半導(dǎo)體組件，由以下元件組成：

第一襯底；

依次外延生長在所述第一襯底的犧牲層以及半導(dǎo)體功能層。

可選地，所述犧牲層的厚度為20nm至150nm。

可選地，所述犧牲層為化合物半導(dǎo)體層。

可選地，所述半導(dǎo)體功能層包括層疊設(shè)置的第一半導(dǎo)體層，有源層以及第二半導(dǎo)體層，所述第一半導(dǎo)體層靠近所述犧牲層設(shè)置。

本實用新型還提供一種第二半導(dǎo)體組件，由以下元件組成：

第二襯底；

設(shè)置在所述第二襯底上的光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)以及鍵合區(qū)結(jié)構(gòu)。

可選地，所述鍵合區(qū)結(jié)構(gòu)包括若干對準(zhǔn)組件，以及設(shè)置在所述對準(zhǔn)組件之間的鍵合凸臺。

可選地，所述鍵合凸臺的高度大于所述對準(zhǔn)組件的高度。

可選地，所述鍵合凸臺為金屬鈀凸臺或金錫合金凸臺。

本實用新型還提供一種半導(dǎo)體器件，包括：

上述任一項所述的第一半導(dǎo)體組件，以及

上述任一項所述的第二半導(dǎo)體組件；

所述第一半導(dǎo)體組件與所述第二半導(dǎo)體組件層疊設(shè)置，且，

所述第一半導(dǎo)體組件中的半導(dǎo)體功能層與所述第二半導(dǎo)體組件中的鍵合區(qū)結(jié)構(gòu)鍵合連接。

本實用新型技術(shù)方案，具有如下優(yōu)點：

1.本實用新型實施例提供的第二半導(dǎo)體組件，通過在鍵合區(qū)域形成對準(zhǔn)組件，用于限定半導(dǎo)體功能層在鍵合過程中其相對于光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的位置，進一步提高了其耦合效率。