[實用新型]天線載噪比改良電路有效
| 申請號: | 201721598219.1 | 申請日: | 2017-11-24 |
| 公開(公告)號: | CN207441978U | 公開(公告)日: | 2018-06-01 |
| 發明(設計)人: | 茅培 | 申請(專利權)人: | 深圳市集眾思創科技有限公司 |
| 主分類號: | H01Q23/00 | 分類號: | H01Q23/00;H04B1/10;H04B1/16 |
| 代理公司: | 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 李姿頤 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區西*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 低噪放大器 輸入端 電橋 微帶天線 雙饋 濾波器 輸出端連接 射頻信號 載噪比 饋點 天線 電路 改良 本實用新型 電路輸出 干擾信號 合路 兩路 放大 輸出 | ||
本實用新型提供了一種天線載噪比改良電路,包括:雙饋微帶天線、第一低噪放大器、第二低噪放大器、移相電橋、第一濾波器;雙饋微帶天線的一個饋點連接第一低噪放大器的輸入端,第一低噪放大器的輸出端連接移相電橋的一輸入端;雙饋微帶天線的另一個饋點連接第二低噪放大器的輸入端,第二低噪放大器的輸出端連接移相電橋的另一輸入端;移相電橋的輸出端連接第一濾波器的輸入端;第一低噪放大器和第二低噪放大器均用于放大雙饋微帶天線接收的射頻信號;移相電橋用于將兩路射頻信號進行合路輸出;第一濾波器用于射頻信號頻帶外的干擾信號;該電路輸出載噪比高。
技術領域
本實用新型涉及微帶天線領域,尤其是涉及天線載噪比改良電路。
背景技術
對于雙饋圓極化有源微帶天線,在天線尺寸受限制的情況下,要獲得較高的天線載噪比存在困難,在天線物理特性固定的情況下,如何降低電路的噪聲系數是一項關鍵技術。目前的雙饋有源微帶天線,一般采用饋點直接接入電橋的方式進行移相合路的方式,然后接入濾波、放大級聯電路,這種方式移相方式簡單,電路與天線分離,便于獨立測試,但是由于電橋在鏈路的最前端,無法避免引入電橋的3dB信號衰減,從而限制了整個鏈路的載噪比。
實用新型內容
本實用新型的目的在于針對現有技術的不足,提供了一種天線載噪比改良電路用于解決現有技術的不足。
具體地,本實用新型提供了一種天線載噪比改良電路,包括:雙饋微帶天線、第一低噪放大器、第二低噪放大器、移相電橋、第一濾波器;
所述雙饋微帶天線的一個饋點連接所述第一低噪放大器的輸入端,所述第一低噪放大器的輸出端連接所述移相電橋的一輸入端;所述雙饋微帶天線的另一個饋點連接所述第二低噪放大器的輸入端,所述第二低噪放大器的輸出端連接所述移相電橋的另一輸入端;所述移相電橋的輸出端連接所述第一濾波器的輸入端;
所述第一低噪放大器和所述第二低噪放大器均用于放大所述雙饋微帶天線接收的射頻信號;所述移相電橋用于將兩路射頻信號進行合路輸出;所述第一濾波器用于過濾掉射頻信號頻帶外的干擾信號。
作為上述技術方案的進一步改進,所述第一低噪放大器和所述第二低噪放大器的型號相同。
作為上述技術方案的進一步改進,所述第一濾波器選用聲表濾波器。
作為上述技術方案的進一步改進,所述移相電橋的一輸出端通過電阻接地。
作為上述技術方案的進一步改進,所述電阻的阻值為50歐。
作為上述技術方案的進一步改進,所述移相電橋為90度3dB電橋。
作為上述技術方案的進一步改進,所述第一低噪放大器和所述第二低噪放大器均選用英飛凌的低噪放大器。
作為上述技術方案的進一步改進,所述雙饋微帶天線用于接收全球導航衛星系統通過導航衛星發射的信號。
作為上述技術方案的進一步改進,所述電路還包括:第三低噪放大器和第二濾波器;所述第一濾波器的輸出端連接所述第三低噪放大器的輸入端,所述第三低噪放大器的輸出端連接所述第二濾波器的輸入端;所述第三低噪放大器和所述第二濾波器用于對射頻信號進行二次放大和二次濾波處理。
作為上述技術方案的進一步改進,所述第二濾波器選用聲表濾波器。
采用本實用新型提供的技術方案,與已有的公知技術相比,至少具有如下有益效果:該電路輸出載噪比高。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例的技術方案,下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹,應當理解,以下附圖僅示出了本實用新型的某些實施例,因此不應被看作是對范圍的限定,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。
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