[實用新型]成像像素及成像傳感器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201721289642.3 | 申請日： | 2017-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN207340033U | 公開（公告）日： | 2018-05-08 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 尼拉弗·德哈里阿;帕萬·吉爾霍特拉 | 申請（專利權(quán)）人： | 半導(dǎo)體元件工業(yè)有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | H04N5/335 | 分類號： | H04N5/335;H01L27/146;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270 | 代理人： | 王琳;姚開麗 |
| 地址： | 美國亞*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 成像 像素 傳感器 | ||
1.一種成像像素，包括：
光電二極管；
浮動擴(kuò)散區(qū)；
轉(zhuǎn)移晶體管，所述轉(zhuǎn)移晶體管被配置為將電荷從所述光電二極管轉(zhuǎn)移到所述浮動擴(kuò)散區(qū)；
源極跟隨器晶體管，其中所述浮動擴(kuò)散區(qū)耦接到所述源極跟隨器晶體管，并且其中所述源極跟隨晶體管耦接到列輸出線；和
晶體管，所述晶體管耦接在所述浮動擴(kuò)散區(qū)和電源端子之間，其中所述晶體管具有柵極，并且其中所述晶體管的所述柵極從耦接到所述列輸出線的比較器接收控制信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素，其中當(dāng)所述列輸出線的電壓低于抗重迭偏置線的電壓時，來自所述比較器的所述控制信號為高。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成像像素，其中所述晶體管被配置為當(dāng)來自所述比較器的所述控制信號為高時生效。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素，其中所述比較器在第一輸入端處耦接到所述列輸出線，并且其中所述比較器在第二輸入端處耦接到抗重迭偏置線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成像像素，其中所述晶體管被配置為當(dāng)所述列輸出線的電壓低于抗重迭偏置線的電壓時生效。
6.一種成像像素，其在列輸出線上輸出圖像信號，所述成像像素包括：
光敏區(qū)；
浮動擴(kuò)散區(qū)；
轉(zhuǎn)移晶體管，所述轉(zhuǎn)移晶體管耦接在所述光敏區(qū)和所述浮動擴(kuò)散區(qū)之間；
源極跟隨器晶體管，所述源極跟隨器晶體管耦接到所述浮動擴(kuò)散區(qū)，其中所述源極跟隨器晶體管耦接到所述列輸出線；
重置晶體管，所述重置晶體管耦接在所述浮動擴(kuò)散區(qū)和第一電源端子之間；和
抗重迭晶體管，所述抗重迭晶體管耦接在所述浮動擴(kuò)散區(qū)和第二電源端子之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像像素，其中所述抗重迭晶體管被配置為當(dāng)所述列輸出線上的電壓小于閾值電壓時生效。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成像像素，其中所述抗重迭晶體管具有柵極，所述柵極從數(shù)字重迭判斷電路接收控制信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成像像素，其中所述抗重迭晶體管具有柵極，所述柵極從比較器接收輸出信號，并且其中所述比較器具有耦接到所述列輸出線的第一輸入端以及耦接到偏置線的第二輸入端。
10.一種成像傳感器，包括：
多個像素，所述多個像素布置成行和列；
多個列輸出線，其中每個列輸出線耦接到相應(yīng)的像素列；和
多個比較器，其中每個比較器具有耦接到相應(yīng)的列輸出線的第一輸入端、耦接到抗重迭偏置線的第二輸入端、輸出端，并且其中每個像素包括：
光電二極管；
浮動擴(kuò)散區(qū)，所述浮動擴(kuò)散區(qū)被配置為從所述光電二極管接收電荷；和
抗重迭晶體管，所述抗重迭晶體管耦接在所述浮動擴(kuò)散區(qū)和電源端子之間，其中每個抗重迭晶體管的柵極耦接到所述多個比較器之一的輸出端。
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