[實用新型]一種刻蝕裝置有效
| 申請號: | 201720142030.5 | 申請日: | 2017-02-16 |
| 公開(公告)號: | CN206441709U | 公開(公告)日: | 2017-08-25 |
| 發明(設計)人: | 周士杰;陳圣鐵 | 申請(專利權)人: | 溫州隆潤科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;C23F1/08 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 325000 浙江省溫州市*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 刻蝕 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及濕法刻蝕工藝技術領域,具體為一種刻蝕裝置。
背景技術
濕法刻蝕工藝主要是指采用液態化學藥品對刻蝕物進行去除的刻蝕技術,具體為通過刻蝕液與刻蝕物進行化學反應,改變刻蝕物的結構,使無光刻膠覆蓋的刻蝕物部分脫離基板表面,而把有光刻膠覆蓋的刻蝕物區域保存下來,這樣在基板上得到了所需要的刻蝕物圖形。
濕法刻蝕設備一般是在濕法刻蝕槽內利用酸性液體通過噴嘴對待刻蝕基板進行噴淋,從而達到刻蝕目的。隨著平板顯示行業中基板尺寸的增大,在濕法刻蝕過程中,基板表面積聚的藥液越來越多從而使得基板表面的藥液置換性變差,從而導致設置在基板上的刻蝕物刻蝕的均一性變差,嚴重影響產品的良率。
太陽能電池作為一種綠色能源,在全球能源戰略中的扮演的角色愈來愈重要,有關太陽能電池的研究也越來越廣泛。目前的太陽能電池以晶體硅電池為主。常規的晶體硅電池的制備工藝包括按順序進行的硅片制絨 ;擴散,形成擴散表面 ;單邊刻蝕,形成刻蝕區 ;鍍膜 ;絲網印刷及燒結。
目前,單邊刻蝕中經常采用濕法刻蝕。現有的濕法刻蝕裝置主要包括上料槽體 10’和刻蝕槽體 20’。其中上料槽體 10’中設有導輪 120’,刻蝕槽體 20’中設有導輪 220’。采用上述濕法刻蝕機進行濕法刻蝕的過程主要是對已完成擴散的硅片 30’進行藥液刻蝕,用以在硅片中除擴散表面以外的表面(待刻蝕面)形成刻蝕區。具體地,將擴散后的硅片在導輪 220’的輸送下經過刻蝕槽 20’中的藥液表面,使硅片的待刻蝕面與藥液接觸,以完成刻蝕。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種刻蝕裝置,以解決上述背景技術中提出的問題。
為實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:一種刻蝕裝置,包括刻蝕裝置本體、硅基體和氣壓腔,所述刻蝕裝置本體的側面頂部設有報警指示燈,所述刻蝕裝置本體的下方設有控制箱,控制箱的內部設有內置電路,所述控制箱的內部設有刻蝕倉,刻蝕倉的頂部設有多個噴嘴,所述噴嘴的正下方設有硅基體。
優選的,所述硅基體上設有刻蝕開口,所述刻蝕開口上設有紅外吸收區,紅外吸收區四周設有熱電堆,所述熱電堆的一側設有支撐臂,所述支撐臂垂直于紅外吸收區的四條邊。
優選的,所述噴嘴的頂部設有氣壓腔,所述氣壓腔的下方設有酸液腔,所述酸液腔的側壁設有導液管,所述導液管焊接在酸液腔的側壁上,所述酸液腔的下方中央設有噴頭,所述噴頭為倒置狀,所述噴頭的側面設有定位器。
優選的,所述氣壓腔與酸液腔之間設有導管連通。
優選的,所述內置電路上設有電源模塊,所述電源模塊的另一端設有主控電路,所述主控電路的一側設有無線網模塊、存儲模塊,所述無線網模塊、存儲模塊相互并聯,所述主控電路的另一端設有智能控制模塊,所述電源模塊、主控電路、智能控制模塊相互串聯。
優選的,所述智能控制模塊的一端設有報警電路,所述報警電路的一側設有氣泵控制模塊,所述氣泵控制模塊的一側設有驅動電路,所述驅動電路的一端設有檢測電路,所述驅動電路的一側設有噴嘴控制模塊,所述噴嘴控制模塊的另一端設有定位模塊,所述報警電路、氣泵控制模塊與驅動電路、檢測電路相互與噴嘴控制模塊、定位模塊相互并聯。
與現有技術相比,本實用新型的有益效果是:
(1)本實用新型中,在刻蝕裝置本體的右上方側面裝有報警指示燈,當內置電路上的檢測電路檢測到濕法刻蝕過程中出現異常,報警電路將會使報警電路不斷閃爍出相應的顏色來提示人們具體的異常點是什么;
(2)本實用新型中,在刻蝕裝置本體的刻蝕倉上設有防護玻璃,避免在進行化學反應的時候,酸溶液監處傷人,也能避免有害氣體跑出;
(3)本實用新型設計合理、結構簡單,能夠方便在濕法刻蝕裝置的過程中得到品質良好的產品,同時還能準確定位需要進行化學反應去除的部分,通過本實用新型生產的產品,不僅質量好而且生產效率高,實現現代化安全生產。
附圖說明
圖1為本實用新型的整體結構示意圖;
圖2為本實用新型的俯視圖;
圖3為本實用新型的局部結構示意圖;
圖4為本實用新型的控制原理框圖;
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





