1.一種單向低電容TVS器件，其特征在于，所述單向低電容TVS器件包括：

第一導電類型襯底；

第一導電類型外延層，所述第一導電類型外延層形成于所述第一導電類型襯底上；

第二導電類型埋層，所述第二導電類型埋層形成于所述第一導電類型外延層中；

第二導電類型外延層，所述第二導電類型外延層形成于所述第一導電類型外延層上；

多個隔離結構，所述多個隔離結構貫穿所述第二導電類型外延層，所述多個隔離結構將所述第二導電類型外延層分為多個區域，所述多個區域包括：第一區域、第二區域、第三區域及第四區域；

第一導電類型隔離，所述第一導電類型隔離形成于所述第一區域中，所述第一導電類型隔離延伸至所述第一導電類型外延層；

第二導電類型注入區，所述第二導電類型注入區形成于所述第一區域、第二區域、第三區域及第四區域中；

第一導電類型注入區，所述第一導電類型注入區形成于第二區域及第三區域中。

2.如權利要求1所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述單向低電容TVS器件還包括：第一金屬線，所述第一金屬線連接所述第一區域中的第二導電類型注入區和所述第二區域中的第二導電類型注入區；第二金屬線，所述第二金屬線連接所述第二區域中的第一導電類型注入區和所述第三區域中的第二導電類型注入區；第三金屬線，所述第三金屬線連接所述第三區域中的第一導電類型注入區和所述第四區域中的第二導電類型注入區；其中，所述第三金屬線與第一電源連接，所述第一導電類型襯底與地連接。

3.如權利要求2所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述多個區域還包括第五區域，所述第二導電類型注入區還形成于所述第五區域中，所述第一導電類型注入區還形成于所述第五區域中；所述第二金屬線連接所述第二區域 中的第一導電類型注入區和所述第五區域中的第二導電類型注入區，以及所述第二金屬線連接所述第五區域中的第一導電類型注入區和所述第三區域中的第二導電類型注入區。

4.如權利要求2所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述多個區域還包括第六區域、第七區域及第八區域；

所述第二導電類型注入區還形成于所述第六區域、第七區域及第八區域中；

所述第一導電類型注入區還形成于所述第六區域及所述第七區域中；

第四金屬線，所述第四金屬線連接所述第一區域中的第二導電類型注入區和所述第六區域中的第二導電類型注入區；第五金屬線，所述第五金屬線連接所述第六區域中的第一導電類型注入區和所述第七區域中的第二導電類型注入區；第六金屬線，所述第六金屬線連接所述第七區域中的第一導電類型注入區和所述第八區域中的第二導電類型注入區；其中，所述第六金屬線與第二電源連接。

5.如權利要求1～4中任一項所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型為P型，所述第二導電類型為N型；或者，所述第一導電類型為N型，所述第二導電類型為P型。

6.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型襯底為重摻雜結構，所述第一導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第二導電類型埋層為重摻雜結構，所述第二導電類型外延層為輕摻雜結構，所述第一導電類型隔離為重摻雜結構，所述第二導電類型注入區為重摻雜結構，所述第一導電類型注入區為重摻雜結構。

7.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型襯底的電阻率為0.005Ω.cm～0.008Ω.cm。

8.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一導電類型外延層的電阻率為2.0Ω.cm～4.0Ω.cm。

9.如權利要求5所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第二導電類型外延層的電阻率為25Ω.cm～35Ω.cm。

10.如權利要求2～4中任一項所述的單向低電容TVS器件，其特征在于，所述第一區域中的第二導電類型注入區與所述第一導電類型隔離構成穩壓二極管；所述第二區域的第一導電類型注入區與所述第二區域的第二導電類型外延 層構成了第二普通二極管；所述第三區域的第一導電類型注入區與所述第三區域的第二導電類型外延層構成了第一普通二極管；所述第四區域的第二導電類型外延層與所述第一導電類型外延層構成第三普通二極管。