1.一種肖特基勢壘接觸的超勢壘整流器，其特征在于：包括重摻雜第一導電類型襯底層(20)、輕摻雜第一導電類型外延層(30)、第二導電類型體區(31)、柵介質層(41)、柵電極層(42)、肖特基勢壘接觸區(43)、上電極層(50)和下電極層(10)；

所述重摻雜第一導電類型襯底層(20)覆蓋于下電極層(10)之上；

所述輕摻雜第一導電類型外延層(30)覆蓋于重摻雜第一導電類型襯底層(20)之上；

所述第二導電類型體區(31)覆蓋于輕摻雜第一導電類型外延層(30)之上的部分表面；

所述柵介質層(41)覆蓋于輕摻雜第一導電類型外延層(30)之上的部分表面和第二導電類型體區(31)之上的部分表面；

所述柵電極層(42)覆蓋于柵介質層(41)之上；

所述肖特基勢壘接觸區(43)覆蓋于第二導電類型體區(31)之上的部分表面；

所述上電極層(50)覆蓋于柵電極層(42)和肖特基勢壘接觸區(43)之上。

2.根據權利要求1所述的一種肖特基勢壘接觸的超勢壘整流器，其特征在于：還包括第二導電類型保護環及結終端區，所述第二導電類型保護環及結終端區為閉合狀的環形結構；環形包圍的中間區域為有源區。

3.根據權利要求1或2所述的一種肖特基勢壘接觸的超勢壘整流器，其特征在于：所述第二導電類型體區(31)由一個或者多個重復的結構單元構成；所述第二導電類型體區(31)位于有源區內部，位于有源區邊緣的結構單元與所述第二導電類型保護環及結終端區可以接觸，也可以不接觸。

4.根據權利要求1或2所述的一種肖特基勢壘接觸的超勢壘整流器，其特征在于：所述柵介質層(41)還可以覆蓋于肖特基勢壘接觸區(43)之上的部分表面。

5.根據權利要求1或2所述的一種肖特基勢壘接觸的超勢壘整流器，其特征在于：所述柵介質層(41)的材料主要包括二氧化硅材料和氮氧化硅；所述柵電極層(42)的材料主要包括摻雜多晶硅；

所述肖特基勢壘接觸區(43)包括高級硅化物；所述高級硅化物包括鈦硅、鉑硅或鎳鉑硅材料。

6.根據權利要求1所述的一種肖特基勢壘接觸的超勢壘整流器，其特征在于：所述柵電極層(42)可省略，所述上電極層(50)覆蓋于柵介質層(41)和肖特基勢壘接觸區(43)之上。